第3章晶体管直流特性讲解.ppt

电子器件基础 晶体管的直流特性 对缓变基区晶体管： 表面复合主要取决于表面状态，在半导体表面必须有良好的保护； 由于Si-SiO2界面存在界面态，使表面复合速度加大； 基区浓度大，基区宽度大，表面复合严重。 基区输运系数： 电子器件基础 晶体管的直流特性 基区宽度调变效应（Early效应） 晶体管放大工作，发射结正偏，结电压变化不大，近似认为发射结空间电荷区宽度xme不变。而集电结反向偏压VCE增加时，集电结空间电荷区宽度xmc增加，有一部分向基区扩展，使有效基区宽度Wb减小，电流放大系数 β 增大。 + N N P xme xmc N+ P N Wb* Wb Vcb ? Wb* ? dnb/dx ? Ine ? Ic ? Early 电压 对非均匀基区晶体管 影响输出电阻 电子器件基础 晶体管的直流特性 IB 不变时，IC= β IB 随VCE增加而增大，输出特性曲线倾斜，特性曲线延长线与横坐标轴的交点电压VEA称为厄尔利电压。 IC IC’ VCE 由三角形相似关系可得： 电子器件基础 晶体管的直流特性 电流放大系数为： VCE 越大，基区宽变效应越严重，输出特性曲线越倾斜，VEA绝对值越小，电流放大系数 β 增加越大； 由于β 与VCE 有关，测量电流放大系数时，必须规定电压的测试条件，如 VCE=5V； 由于β 与 IC 有关，测量电流放大系数时，必须规定电流的测试条件，如 ICE=5mA。 晶体管的非理想现象 5. 大注入效应之一 ?? Webster 效应 Dnb ? 2Dnb 基区大注入条件：npb(0) ~ Nb Ex.?：Si npn晶体管：若 Nb = 1017 cm-3 , 计算当 npb(0) = 0.1Nb 时所需的发射结偏压Vbe .（答案：0.76 V） qVbe/kT ? qVbe/ 2kT ? Webster 效应 晶体管的非理想现象 5. 大注入效应之一 ?? Webster 效应 增益 ? 随电流 Ic 变化 ? Ic 发射结复合电流 基区复合 Webster 效应 晶体管的非理想现象 5. 大注入效应之二 ?? Kirk 效应 （基区展宽效应） p n? x n+ E 集电区大注入：nc ~ Nc 集电极电流 Jc ? nc ? q ( Nb+ nc ) q ( Nc ? nc ) 饱和漂移速度 晶体管的非理想现象 中性 nc = Nc nc Nc - - - - - - - - - - - - - - Emax 问题：计算 Jc0 , nc0 即 Jc Jc0? Wb ? Wb + ?Wb ? ? ? ? ? 5. 大注入效应之二 ?? Kirk 效应 ? Kirk 效应 临界 Jc0 nc = nc0 晶体管的非理想现象 5. 大注入效应之三 ?? 发射极电流集边效应（基极电阻自偏压效应） ?Seff -发射极有效半宽 Se J (?Seff) = J (0) / e z y x 晶体管的非理想现象 5. 大注入效应之三 ?? 发射极电流集边效应（基极电阻自偏压效应） 发射极电流分布 ? ? V(y) ? Je (y) ? ?Seff = ? y y y+dy +dIB JC y … … 0 E B rbb’ 晶体管的非理想现象 6. 发射结结面积对 ? 的影响 n+ p n Aje* Ajeo Ine’ Ine 本征基区：Wb Lnb 非本征基区：Wb Lnb 要 ? ? 则要 Ajeo/ Aje* ? 结面积大、结浅 实际晶体管的输入、输出特性 Webster/Kirk 效应 发射结复合电流影响 Si 晶体管 发射结复合电流 Webster/Kirk rbb’自偏压 Vbe (V) ? 2.3.6 实际晶体管的输入、输出特性 2.3 直流特性28 1. 共基极输入、输出特性 E B C Early 效应 输入特性 输出特性 N+ P N Wb* Wb Vcb ? Wb* ? dnb/dx ? Ine ? Ic ? dnb/dx ? 2.3.6 实际晶体管的输入、输出特性 2.3 直流特性29 2. 共射极输入、输出特性 输入特性 输出特性 B E C Early 效应 Early 效应 问题：为什么Early效应对共发射极输出特性有明显影响，而共基极输出特性却无明显影响？ 基区复合减少 电子器件基础 晶体管直流特性 第4节 晶体管反向电流与击穿电压 N P N+ C E B VCB ICBO N P N+ C E B VEB IEBO ICBO：发射极开路，集电结的反向电流。 IEBO：集电极开路，发射结的反向电流。 ICEO：基极开路，集电极与发射结之间的反向电流——穿透电