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国家火炬计划产业化项目 可行性研究报告  目 录 第一章 总 论 1 1.1 项目名称与承办单位 1 1.2 项目概况 1 1.3 承办单位概况 2 1.4 股东出资比例 2 1.5 可行性研究依据与范围 3 1.6 项目建设的经济效益分析 4 1.7 主要技术经济指标 5 1.8 可行性研究结论 5 第二章 项目提出背景 6 第三章 项目市场分析及定位 7 3.1 产品所处行业发展周期及产业链分析 7 3.2 国际市场分析 7 3.3 该公司技术产品简介 10 3.4 产品行业市场竞争结构 11 3.5 特种陶瓷材料技术应用前景 11 3.6 产品价格定位方案 12 第四章 建设地点、自然条件及外部配套条件 13 4.1 建设地点 13 4.2 自然条件 14 4.3 外部配套条件 15 第五章 总体规划 16 5.1 发展规划分析 16 5.2 区域经济发展现状 19 第六章 建设用地利用及地质情况分析 20 6.1 项目选址及用地方案 20 6.2 基地条件及用地性质 20 第七章 工程项目建设方案 22 7.1 总平面布置 22 7.2 设计原则 22 7.3 建筑物设计方案 22 7.4 生产工艺流程图 24 7.5 关键设备明细 25 7.6 室外工程 26 7.7 公用工程 26 第八章 节能方案分析 27 8.1 用能标准及节能规范 27 8.2 节能设计原则 27 8.3 节能措施和节能效果分析 28 8.4 节能效果综合分析及评价 29 第九章 环境影响评价 30 9.1 概述及参照标准 30 9.2 环境质量状况 30 9.3 环境影响分析 31 第九章 项目实施进度 33 第十章 组织机构及劳动定员 34 10.1 公司组织机构 34 10.2 项目管理 34 10.3 企业组织 34 第十一章 招标方案 36 11.1 招标内容 36 11.2 招标方式 36 第十二章 项目估算及财务分析 37 12.1 项目投资估算编制依据 37 12.2 估算范围 37 12.3 投资估算 37 12.4 资金筹措 42 12.5 财务分析 42 第十三章 社会效益分析 45 13.1 社会影响效果分析 45 13.2 社会效益分析 46  第一章 概述 1.1项目提出背景 砷化镓（GaAs）单晶是一种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。HB工艺是研究开发最早的GaAs单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺，HB-GaAs单晶年产量占全世界GaAs单晶年产量的50%（2004年全球的GaAs单晶产量约140t）。 HB-GaAs单晶生长设备及生长过程涉及到物理、化学、冶金学、自动控制、机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本、美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用的生产设备、生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。 国际上HB-GaAs单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量的60%（2004年为62%），所提供的晶片以Φ2”，Φ2.5”为主。 Φ2”，Φ2.5”水平砷化镓单晶近年来大量用于红外LED和高亮度LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。但是由于国内目前还没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口，造成大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这一背景下提出并开展的。 1.2技术开发状况 “水平砷化镓单晶材料产业化” 2001年被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目，并于2005年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定，鉴定结果为：该项目的技术、产品质量达到了国际先进水平。本项目产品目前关键技术已经突破，并开始批量生产，产品已成功进入国内外市场。 下一步工作中，企业计划在进一步综合优化现有工艺技术基础上，使Φ2”HB－GaAs单晶成品率由现在的75%增加到85%。EPD5×103cm－2。使Φ2.5”HB－GaAs单晶成品率由现在的55%增加到70%，EPD5×103cm－2。以进一步提高产品的性价比从而增强其竞争力。 1.3现有产业规模 本产品2005年通过鉴定后开始进行小规模生产，2005年该产品销售收入达到400万元，2006年产品销售收入达到1000万元，预计2007年销售收入可达到1800万元，净利润达到180万元。 1.4项目产品的主要用途、性能 本项目产品近年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED—即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。 主要技术与性能指标如下： N型（掺Si） n(cm-3