第7章接地技术讲解.pptVIP

　　表明负载上的信号电压近似于信号源电压, 即纵向扼流圈对信号几乎是无损耗传输。 (7-22) 式中, fC=RC2/(2πL)是纵向扼流圈自身参数确定的截止频率, 其物理意义为: 当传输频率等于截止频率时, 信号电流将有70％流过地线。 　　设Ug负载RL的响应为Un, 经分析同样可得 (7-23) 　　图7-26是按上式绘制的纵向扼流圈对干扰的抑制特性。 当f5fC时, 地线中的干扰在负载上所反映的电压仅为20％, 表明纵向扼流圈对地线干扰起到了 有效的抑制作用。 纵向扼流圈有以下特点: 　　(1) 既能传输交流信号, 又可传输直流信号; 　　(2) 对地线中高频干扰的抑制能力强; 　　(3) 可有效地抑制线路中所传输的高频信号对其他电路单元的干扰。 图 7-26 纵向扼流圈对地线干扰的抑制 图 7-16 级连的两电路单元 7.4.3 地线中的等效干扰电动势 　　综上所述, 从电磁兼容性的角度出发, 地线已不能看成是等电位的。 假设某一段地线的电阻为Rg, 电感为Lg, 流过的电流为ig, 则在这段地线上产生的压降 　　为 (7-8) 　　假设这段地线与电源正极馈线(或信号线)构成的环路面积为S, 则在这段地线上产生的总的干扰电动势为 (7-9) 　　可见在分析地线给电路所造成的干扰时, 只需在地线中加一等效干扰电动势eg, 如图7-17所示。 图 7-17 地线中的等效干扰电势 　　总之, 地线干扰是造成设备(或系统)内部各单元之间耦合的重要因素之一。 如何抑制地线干扰是电磁兼容性设计的一个重要课题。 根据地线中干扰形成的机理, 减小地线干扰的措施可归纳为: 减小地线阻抗和电源馈线阻抗; 正确选择接地方式和阻隔地环路。 7.5 低阻抗地线的设计 　　地线中的干扰电压除与流过地线的电流有关外, 还与地线的阻抗有关。 地线阻抗Zg包括电阻分量Rg和电感分量Lg, 可记为 (7-10) 7.5.1 导体的射频电阻 　　圆形截面导体的低频电阻表达式为 (7-11) 式中, l为导体的长度(m); σ为导体的电导率(S/m); a为导体的半径(m); S为导体的横截面积(m2)。 　　式(7-11)中导体的横截面积应理解为有效载流面积。 在直流情况下, 电流在导体截面上均匀分布, 导体的横截面积就是它的几何截面积。 但对于射频电流, 由于集肤效应, 导体的有效载流面积将远小于导体的几何截面积, 即导体的射频电阻高于直流电阻。 (7-12(b)) 　　1. 实心圆截面导体的射频电阻 　　如果集肤深度远小于导体的半径a, 则单位长度的射频电阻为 (7-12(a)) 式中, δ为集肤效应(m), 　　　　　　　。 将　　　　　　及σ=σr, σCu=5.82×107σr代入式(7-12(a)), 可得 　　图7-18表示了孤立圆截面直导体的射频与直流电阻之比(RRf/Rdc)和频率、 直径的关系, 图中横坐标参变量为 (7-13(a)) 式中, Rdc为长1 cm的圆导体直流电阻(Ω); f为导体中电流的频率(Hz)。 　　对铜导体而言, 参变量x可简化为 (7-13(b)) 式中, d为铜导体的直径(mm)。 图 7-18 孤立圆直导体的射频电阻与直流电阻之比 　　　　和频率、 直径的关系 　　由图7-18和式(7-13(b))可见, 当参变量x较小, 集肤效应可忽略时, RRf等于Rdc。 随着频率升高, 导体半径愈大, 集肤效应愈明显。 在工程上用相互绝缘的多股漆包线代替单根导线绕制射频电感线圈, 以延缓射频电阻的增长。 　　2. 矩形截面的射频电阻 　　若导体横截面不呈圆形, 式(7-12)中的半径a可按下式求得: 　(7-14) 横截面周长 　　在截面积相同的情况下, 截面的周长与截面形状有关。 式(7-14)表明改变截面形状可以改变导体的等效半径。 如图7-19所示为三种形状不同的横截面。 在截面积相等的条件下, 矩形截面的周长大于圆截面, 而且宽厚比越大, 截面周长越长, 其等效半径也越大。 由式(7-13)可知, 导体等效半径增大将导致射频电阻下降, 设备地线和搭接条采用扁铜带的原因就在于此。 图 7-19 导体的三种常用截面形状 7.5.2 导体的电感 　　圆截面铜直导体的电感可按下式求得 式中, l为导体的长度(cm); d为导体的直径(cm)。 　　矩形铜直导体的电感为 　 式中, w为矩形导体横截面的宽度(cm); t为矩形导体横截面的厚度(cm)。 (7-15) (7-16) 　　式(7-16)表明在截面积一定的情况下, 增加宽度可减小导体的电感量。 因此, 无论从导体的射频