电路分析基础.ppt

* 频率响应 ?为信号的角频率，AV(?)表示电压增益的模与角频率之间的关系，称为幅频响应；而?(?)表示放大电路的输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系，称为相频响应，二者综合起来可全面表征放大电路的频率响应。 若考虑电抗性元件的作用和信号角频率变量，则放大电路的电压增益可表达为 * 带宽 横坐标采用频率单位f= ?/(2?)，坐标采用对数刻度，称为波特(Bode)图。 幅频响应的中间一段是平坦的，称为中频区。 在20Hz和20kHz两点增益分别下降3dB，在低于20Hz和高于20kHz的两个区域．增益随频率远离这两点而下降。增益下降3dB的频率点，其输出功率约等于中频区输出功率的一半，通常称为半功率点。 * 带宽 把幅频响应的高、低两个半功率点间的频率差定义为放大电路的带宽，即 fH是频率响应的高端半功率点，也称为上限频率，而fL则称为下限频率。 * 失真 理论上许多非正弦信号的频率范围都延伸到无穷大，而放大电路的带宽却是有限的，并且相频响应也不能保持常数。基波增益较大，而二次谐波增益较小，于是输出电压波形产生了失真，这叫作幅度失真。 当放大电路对不同频率的信号产生的相移不同时，也产生失真，称为相位失真。 幅度失真和相位失真总称为频率失真，它们都是由于线性电抗元件所引起的，所以又称为线性失真。 * 非线性失真 非线性信号的失真是由放大器件的非线性特性所引起的，放大器件包括分立器件(如半导体三极管等)和集成电路器件(如集成运算放大器等)。 对于分立器件放大电路来说，应设法使它工作在线性放大区。但当要求信号的幅值较大，如多级放大电路的末级，特别是功率放大电路，非线性失真难以避免。 对于集成运算放大器，通常是由正、负双电源供电，当输出信号的幅值接近双电源值时，其输出将产生非线性失真，称为饱和失真。 * 作业 P20 习题一 1.2.1，1.4.1，1.5.2，1.5.6 预习第三章 * 电子技术基础 模拟部分 * 课程内容 电子技术基础 II（40学时） 教材： 电子技术基础 模拟部分（第六版），康华光 考试课 分数：考试占80%，作业占20%。 作业： 在每章结束后下一堂课时交，具体安排请各班学习委员同辅导老师商量。 主讲：李 锋 phonelee@ustc.edu.cn 辅导：孙荣奇 srq@mail.ustc.edu.cn * 第一章 绪 论 * 电子管 * 电子管，是一种在气密性封闭容器（一般为玻璃管）中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 * 晶体管 * * 晶体管历史及重要里程碑 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和??沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管（Bipolar Junction Transistor），这是现在通行的标准的晶体管。 1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。 1954年10月18日：第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场，仅包含4只锗晶体管。 1961年4月25日：第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够，但是新的电子设备要求规格更小的晶体管，即集成电路。 1965年：摩尔定律诞生。当时，戈登·摩尔（Gordon Moore）预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年)，摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。 * * 1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童（Fairchild）半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备（integrated electronics）”的缩写。 1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。 1971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。 1972年，英特尔发布了第一个8位处理器8008。 1978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086。含有2.9万个晶体管。 1978年：英特尔