第四章根轨迹本章重点根轨迹的定义、根轨迹方程、幅值条件和相角.docVIP

第四章　 根轨迹 本章重点 根轨迹的定义、根轨迹方程、幅值条件和相角条件； 常规根轨迹的绘制； 增加开环零极点对根轨迹和系统性能的影响； 利用根轨迹分析系统性能的方法。 根据根轨迹定性分析系统性能随参数变化的规律； 如何改变根轨迹达到系统期望的性能。 引　言 系统的动态性能和闭环极点在S平面的位置有着密切的关系。 1. 垂直线区域 衰减度，表示一种相对稳定性。 2. 扇形区域 闭环系统将具有一定的阻尼比。 3. 圆形区域 在圆形区域里即可以保证阻尼比ζ的上界， 也可以保证一定的自然振荡频率ωn, 以及阻尼振荡频率 ωd。 如果设区域 则选择 §4－1　根轨迹的基本概念 　在分析系统的性能时，要知道闭环系统的确切的极点位置； 　分析和设计时还要研究一个或几个参量在一定的范围内变时对于系统的性能的影响。 依万斯(W.R.Evans)提出了求解系统特征方程式根的图解方法－根迹法。 已知开环的零极点绘控制闭环极点随参数变化的运动轨迹。 以二阶系统为例开环传递函数为： 有两个开环极点，0和-a. 系统的闭环传递函数为： 特征方程为： 根为： 在K1和a为正值时，上述二阶系统总是稳定的。 暂态性能却随特征方程的根而变化，因而随a和K1的值而变化。 讨论a保持常数，特征方程的根随增益K1改变的情况。 当 时，s1和s2为互不相等的两个实根。 (2) ，则两根相等，即 (3) ，两根成为共轭的复数根，其实数部分为 这时根轨迹与实轴垂直，并相交于 点。 K1从零变化到无穷大时的根轨迹 二阶系统的根轨迹有两条，K1=0时分 别从p1=0和p1=-a发；两个根都在负实 轴上，系统处于过阻尼状态； (3)当K1增加到a2/4时，两个特征根相等会合 于 (4)当K1a2/4时，对应欠阻尼状态， K1越大， 振荡的频率也越高，由于两个根的负实部不变， 系统的调节时间变化也不大。 根轨迹：就是当系统的某一个或几个参数变化时，特征方程的根在S平面上运动的轨迹。 §4-2　绘制根轨迹的基本条件和基本规则 闭环系统特征方程为：1+G(s)H(s)=0　或　G(s)H(s)= -1 可以得到幅值条件和相角条件： 在s平面上，凡能满足相角条件的点所构成的轨迹即为根轨迹。绘制根轨迹主要依据相角条件，而幅值条件用于确定根轨迹上某点s对应的系统参数值。 设系统的开环传递函数为： —开环零点 —开环极点 K1可以叫根迹增益或根轨迹放大倍数，K叫做系统的开环增益。 将零极点形式用于绘制根轨迹比较方便。将其代到幅值条件和相角条件中可以得到 或 相角条件确定根轨迹上的点，用幅值条件确定根轨迹上 某一点对应的增益值。 二、根轨的连续性 1.根轨迹的基本性质和绘制规则 闭环特征方程的根是根轨迹增益K1（或其它参数）的连续函数。 2　根轨迹的对称性 特征方程的根为实数或共轭复数，根轨迹对称于实轴。 规则一 系统根轨迹的各条分支是连续的，而且对称于 　　　　实轴。 3　根轨迹的分支数 分支数等于系统的阶数。 4　根轨迹的起点和终点 根据幅值条件 K1=0时，只有s=pi才能满足上式，故根轨迹各分支的起点即为各开环极点。 当K1→∞，只有s→zi或s→∞时才能满足上式的幅值条件。 　　因此当K1→∞时，根轨迹的m条分支趋向开环零点，另外n-m条分支趋向无穷远处。 规则二 当K1=0时，根轨迹的各条分支从开环极点出发；当K1→∞，有m条分支趋向于开环零点，另外有n-m条分支趋向无穷远处。 5　实轴上的根轨迹 规则三 在s平面实轴的线段上存在根轨迹的条件是，　　　　在这些线段右边的开环零点和开环极点的数目之和为奇数。 6　根轨迹的渐近线 当K1→∞时，n-m条根轨迹分支沿着与正实轴正方向夹角为φa，截距为σa的一组渐近线趋向于无穷远处。 规则四 根轨迹中趋向于无穷远处的n-m条分支的渐近线的相角为 规则五 伸向无穷远处的根轨迹的渐近线与实轴交于一点，交点的坐标为 7　分离点和汇合点 　若实轴上两开环极点之间存在根轨迹，则一定存在分离点； 若实轴上相邻开环零点之间存在根轨迹，则一定存在汇合点； 　　若实轴上的根轨迹处在开环零点和开环极之间，可以既无分离点也无汇合点，也可能既有分离点也有汇合点。 规则六　 复平面上根轨迹的分离点必须满足方程