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3、PN 结伏安特性 三、PN 结的反向击穿 二极管伏安特性 二极管伏安特性 二极管伏安特性 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要是利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 § 2.4 二极管基本电路及其分析方法 一、二极管正向V-I特性的建模 二、模型分析法应用举例 例1、简单二极管基本电路如下图所示，R=10K ，求电 路的ID和VD值。（1）VDD=10V； 2）VDD=1V。（每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。） 1、稳压二极管 稳压二极管的应用举例 二极管伏安特性 管子的正向电阻小 三、 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 1）微变电阻 rD（ ） iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 体现了Q点附近电压对电流的控制作用 Q点处是正向导通压降 2） 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 3、折线模型 由于二极管特性的分散性，Vth和rD的值不是固定不变的。 认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加。 例：导通电流为1mA时， 4、小信号模型 iD uD ID UD Q ?iD ?uD Q点处是正向导通压降 rd （a） （b） 1、二极管电路的静态工作情况分析： 2、限幅电路 3、开关电路 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例：二极管半波整流 2.5 特殊二极管 1、稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ： （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的系数。 （3）动态电阻 （5）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （4）最大允许功耗 * * 第二章 半导体二极管及其 基本电路 模拟电路 § 2.1 半导体基础知识 § 2.2 PN结的形成及特性 § 2.3 半导体二极管 § 2.4 二极管基本电路及其分析 § 2.5 特殊二极管 半导体二极管及其基本电路 §2.1 半导体的基本知识 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 （一)、本征半导体的结构特点 Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 一. 本征半导体 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 本征半导体 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 (二