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第三章-晶体讲解
粒数密度与粒数密度分布 粒数密度定义为单位体积、单位尺寸内的颗粒个数 N—#/m3 n—#/m4 粒数密度分布为粒数密度随颗粒尺寸变化的函数 晶体尺寸分布的特征尺寸 描述粒度分布的方法 直接给出分布的数据,或给出分布函数 主体颗粒尺寸:是对应于微分质量(体积)分布的最大值 50% 颗粒尺寸:对应于质量积累分布中,质量达到晶体分布的50% 时的颗粒尺寸 平均直径: 平均直径的定义可以有很多种,其表示的意义不同,其相应的数值也不同 比表面积 。。。。。 一般的测量数据为质量分数 分布,其它的任何分布都可以计算 例如某一悬浮液的悬浮密度为MT,其颗粒特征尺寸为L,测得的质量分数为△W,颗粒的体积形状系数为α,颗粒间距为△L,此颗粒尺寸的粒数密度: 实际上我们测量得到的结果是M(L)而不是n(L)。n(L)由计算而得,而在粒数横算方程中使用n(L)。 各种表示方法的换算 利用粒数密度分布函数可计算很多与晶体尺寸分布相关的重要性质,例如 单位体积内颗粒的个数 单位体积内颗粒分布的总面积 单位体积内颗粒分布的全部质量 这些表达式非常有用,可以建立质量与粒数的关系。 平均粒径也可以用粒数密度来定义。 基于粒数定义的平均粒径可表示为 一般常用的平均粒径为用面积和质量而定义的 一般式: 以后的讨论中会经常用到截距式的概念。 分布系数 CV coefficient of variation) 一般颗粒尺寸分布的参数可用平均粒径和分布系数描述 分布系数描述其分布宽度,平均粒径描述其大小 分布系数近似于高斯分布的标准方差,其定义 各相应的值可从积累质量分布而获得。 高值表示分布宽,低值表示分布窄,等于0位单一尺寸。 MSMPR 的颗粒分布的CV值为50%。 颗粒尺寸分布的测量 颗粒的测量技术主要分为两类 筛分 基于颗粒沉降原理:颗粒的尺寸的定义为球形颗粒的沉降速度 激光衍射粒度分布。 激光扫描 激光计数 图像分析 不同的方法, 其测得的结果数值可能不同,一般要根据球形颗粒校核。 晶体的性质与表示方法 第三章 晶体 晶体是固体。在晶体内原子的周期性排列并以三维方向扩展 所有的晶体是固体,但不是所有的固体都是晶体(例如玻璃不是晶体) 非晶体固体—无定形固体(amorphous solid) 许多物质可以形成固体,其是否为晶体依赖于成长条件 有些物质可以形成同组分晶体但是不同的原子排列,形成不同的三维结构。(不同晶型) 有些物质可以具有相同的三维结构,不同外观形状(不同晶形) (或在显微镜下) 为了理解晶体的性质和分辨不同的晶体,需要一些有关晶体和他们的结构方面的知识 晶体结构的研究叫晶体学 在这一章中我们简单介绍晶体和晶体结构方面的知识 如果我们考虑晶体为一个纯的几何形状,不考虑实际的原子,我们可以使用点晶格的概念来表示晶体 点晶格是一系列点的排列,每个点具有相同周边环境 晶格点为组成晶体的离子或分子 点晶格 可以在三维空间内使用长度变量a、b、c 或角度α、β、γ来确定点晶格的位置 这些长度和角度被叫做晶格参数 使用这些参数所描述的一个晶格单元叫做单元晶体。 单元晶体 晶格与晶体系统 一个单元晶体决定着晶体的基本形状 立方体(Cubic) :a=b=c,α=β=γ=90° 四角形体(Tetragonal) :a=b≠c,α=β=γ=90° 正交晶体(斜方晶体)(Orthorhombic): a≠b≠c,α=β=γ=90° 斜方六面体(菱形体)(Rhombohedral): a=b=c,α=β=γ≠90° 六角形,六边形 (Hexagonal): a=b≠c, α=β=90°,γ=120° Miller标示和晶格面 Miller标示定义晶面 如果我们取晶格上的任意一点作为原点,我们可以从原点出发定义很多三维的矢量了表示某一方向。 例如:在立方体晶格中,从原点到(1,1,1)点这一方向是一个正的方向,同时这一矢量也可穿过(2,2,2)……这一方向用[1,1,1]来表示。(这里的数字被叫做方向标示) 如果方向为负方向,既在其坐标上加一横[1,1,1] 可以用一个组合来表示这一组方向1,1,1,这个表示了正方体内的对角线的各个方向。 在方向标示中,要用最小的整型数表示 图2.4展示了各种方向标示(图2.4) 为表示晶格上的平面,使用传统的Miller标示的方法。 习惯上每一个晶格平面用三个参数来表示(h、k、l),这三个参数为此平面与三个坐标轴的交叉点 如果平面平行于即给定的轴,它的Miller标示数为0。 负的标示符用一数字上的横来表示。 Miller标示符不仅仅表示一个平面,而是所有平行于平面的面
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