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倍频技术
* §4 倍频技术 Frequency-doubling technique §4.1 电介质响应的非线性 光在介质中传播,光频电场 E 使介质产生电极化。在激光出现之前,线性光学认为介质的电极化强度 P 与入射光波电场 E 成简单的线性关系。 (1) ? ~ 介质极化率 根据这一假设,描述光波在介质中传播与相互作用的Maxwell 方程,是一组线性微分方程组。 单一频率的光入射到非吸收的透明介质中,其频率不发生任何变化 不同频率的光同时入射到介质中,各光波彼此之间不发生耦合,既不改变各光波的频率,也不产生新的频率 两光束相遇时,如果是相干光,则产生干涉,如果是非相干光,则只有光强叠加 激光问世后,人们观察到石英晶体的光学倍频现象。理论分析指出,(1)式描述的电极化强度 P与光频电场 E的线性关系,只是光场不太强时的一种近似 将808nm的半导体激光倍频为404nm的紫光 用非线性光学晶体对激光进行频率转换,可以扩展激光器的可调谐范围。 目前在可见光区和紫外区的研究已经较为成熟,基本解决了激光光源在可见光区和紫外区的频率转换,于是特别关注波长短于200 nm的深紫外区。 2007年8月,美国材料科学国家研究所的Encarnacion G. Villora等人报告了他们研究的用于UV/VUV全固态激光器的非线性光学氟化物单晶,其非线性光学系数?0.06 pm/V,紫外透过?193 nm。 惯性约束核聚变(Inertial Confinement Fusion, ICF)成为未来获取核能环保能源最有前途的手段之一,应用于ICF等重大技术中的高功率激光系统,作为变频与电光开关的首选材料的KDP/DKDP晶体,其快速生长技术及高抗光伤阈值和光学均匀性的要求指标更加苛刻,美国N.Zaitseva等人采用点籽晶高温生长方法,使晶体的生长速度比传统方法提高了一个数量级。 铌酸锂 KTP (KTiOPO4) LAP 由光频电场引起的介质电极化强度 P与光频电场 E 的更普遍的关系为 (2) 式中,?(1), ?(2), ?(3) ~ 介质的一次、二次、三次电极化率 将其代入Maxwell 方程组,可以导出一组包含光波场强高次项的非线性电磁波方程组,从而可以解释单一频率的光入射到特定介质时产生的倍频辐射,不同频率的光入射到特定介质时,产生的混频辐射等现象 式(2)右边各项的系数,?(1) , ?(2) , ?(3)……,依次下降若干个数量级 当我们讨论倍频,只对上式中的二次项感兴趣,即光场的二次项对极化强度的影响 107 1010 激光 0.1-10 1-10 普通光源 原子内电场 109 V/cm 光电场强度 (V/cm) 光强 (W/cm2) 光源 §4.2 二次谐波功率 用经典电磁场理论来处理二次谐波问题的路线 从Maxwell 方程出发 非线性介质中的电磁波动方程(在非线性介质中传播的电磁波,它的场强随时间变化的方程) 耦合波方程(描述入射的基波与产生的谐波之间由于介质的非线性而耦合、转化关系的方程) 二次谐波(即倍频光)功率和效率的表达式 位相匹配条件(有效地产生倍频光的条件) 1、非线性介质中的电磁波动方程 (1) (2) (3) (4) ? ? 导磁系数 ? ? 电导率 ?0 ? 真空介电常数 极化强度矢量包括线性部分与非线性部分 (5) ?e 为介质极化率,将(3), (4), (5)代入(1)得磁场强度的旋度 (6) 其中 对(2)式取旋度 = 0 因为束缚电荷密度 ?束 在外电场较弱时近似为 0自由电荷密度 ? = 0 电介质的电导率 ? = 0 为了讨论问题的方便,假设 于是得到非线性介质中的电磁波动方程 (7) 一个在非线性介质中传播的电磁波,它的场强随时间变化的方程 2、耦合波方程 ?1 ?2 ?3 z 光波在非线性介质中沿 z 方向传播,z 轴不是光轴 光波中含有 ?1, ?2, ?3 三种频率成份 它们传播方向一致,偏振方向相同 场强分别是 E(?1)(z,t), E(?2)(z,t), E(?3)(z,t) 或统一写作 (i, j, k = 1, 2, 3) 总场强为 (8) 因假设三种频率的光偏振方向相同,因而可以进行标量相加 将 (8) 式代入波动方程 (7) 式的左边,并且先后分别考虑 ?1, ?2, ?3 的部分,得到 (9) (10) (11) 将 (8) 式代入波动方程 (7) 式的右边,涉及非线性极化的一项,即 ?1, ?2, ?3 之间存在相互转化的关系, 这里考虑最有实际意义的情况,即 ?3 = ?1 + ?2 或写作 ?1 = ?3 - ?2 并且只考虑与 ?1 有关的部分,得
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