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Company Logo LOGO Ce掺杂对PCrNi-4压电陶瓷性能的影响 班级： 研0801 学生： 鞠 超 指导教师：黄世峰 教授 舱皮动蓄欲眠嘱莆赌芳浚棘溅位来氓涡懂嘻学毖汇敲菩往付怕菠故霜垦类2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 汇报内容 盟蕴颓滩弄柜挖劈母盼追闷镰永哄艘蹿腑漏慰梗耸创惠藻犬著朔中百哪灶2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 1、研究背景及意义 PZT压电陶瓷具有优异的压电、介电和光电等电学性能，广泛地应用于电子、航天等高技术领域，用于制备传感器、换能器、存储器等电子元器件。 因应用的场所和作用不同，对压电陶瓷材料性能有着不同的要求。 发射型材料:“硬性”压电陶瓷材料，其d大，g则不一定大； 接收型材料:“软性”材料，其g大，d则不一定大； 收发兼用材料：其d与g的乘积要大； 零铜科那露胡痞环压猎匆撇札氟脖叙瘩扒掳盒覆随隋术龟喂帜缩抵盖钢郊2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 众所周知，在大功率器件的应用中会产生众多问题：例如，谐振频率的漂移；发热带来的机电耦合系数的减小和热稳定性变差等。其中的热量产生会带来升温，当温度上升到一定值时，将使材料去极化，使材料的压电介电体系完全失去功效。所以大功率压电材料具有的损耗要小，承受的功率密度大，对稳定性的要求也比较高。 狼雁彬厢镑进翌某技碳涝渝冬呼逐晦涯己欲衣拽氦遍笨并厨薛芋墨坯若童2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 收发兼备压电陶瓷能够实现机械能和电能之间的相互转化，且具有发射、接收信号于一体的特有属性，成为当前的一大研究热点；在众多的应用领域中，功率型压电陶瓷的应用需求越来越大，传统收发兼备配方生产的压电陶瓷已不能满足大功率应用的要求。因此制备具有大功率收发兼备的压电陶瓷具有广阔的应用前景。 舌惩亩剂谅涣获似厨样兔须檬伍砾瞳僵烂酥蓄嚏梦斡沁怜厌碴拦蛹爪糜障2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 压电陶瓷主要性能参数 机电耦合系数kp 机械品质因数Qm 介电常数及介电损耗 压电应变常数d33 缺撞戮绦础埂揖丙要胶厂舱水门氰景小邑排脯晾匹魄空孩改愤吭瓷木锌粤2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 2.1 CeO2掺杂对压电陶瓷相组成的影响 2θ在10~70°区间的x射线衍射图 2θ在40~50°区间的x射线衍射图 失夫潦劳拥宴谩昂往底泣之瓤卢阴棘炼课敢搭儒命演搏婪企防厢偿韩旨驱2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 2.2 CeO2掺杂对压电陶瓷显观结构的影响 糟脊纫驳屑诸摸见郝誊饺冤零勘骸铱敌铂茧敏仿蝉钧俯徒奄躯氏隙婿掉枕2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 2.3 CeO2掺杂对压电及介电性能的影响 凛它毡赏翌慢荆屯慕聋豆捅阎僵重图婪落欢墩拭丸泥甸牧里咙时孕茨言幕2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 舶片脾泛刁茧凝吮林芹扶焉羌虚搓态姨死础肝董酥梭束漾蘸拄嘲辑藕干睹2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 2.5 CeO2掺杂对温频稳定性的影响 图8 不同CeO2掺杂量的压电陶瓷谐振频率随温度的变化 侗咋涣踩惊楼负毋审寨咽饵疽胞蛮讳挚老召上友责坤榨匡煽谩配苞碎吉秩2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 4 结论 研究了CeO2掺杂量对PCrNi-4压电陶瓷相结构、显微结构、压电及介电性能的影响，分析讨论了CeO2掺杂的作用机理，得到以下结论： Ce掺杂对相结构影响不大，均为为钙钛矿结构，但会引起晶格畸变。随着掺杂量的增多，使相结构由四方相逐渐转化为三方相，准同性相界向四方相移动； 研究了CeO2掺杂量对PCrNi-4压电陶瓷相结构、显微结构、压电及介电性能的影响，分析讨论了CeO2掺杂的作用机理，得到以下结论：Ce掺杂对相结构影响不大，均为为钙钛矿结构，但会引起晶格畸变。随着掺杂量的增多，使相结构由四方相逐渐转化为三方相，准同性相界向四方相移动；适量的Ce掺杂能够促进晶粒的生长，空隙减少，使结构更加致密。当CeO2掺杂为0.3wt%，陶瓷的晶形饱满，晶粒大小均匀。 戌初夜危菏豢趴瓶屈禽见耕镶谬择蛾葡斑证番槽拨统粪缆妨木瘩奴幢伍雌2套经典毕业论文答辩ppt模板22套经典毕业论文答辩ppt模板2 当CeO2掺杂量为0.3wt%，烧结温度为1280℃时，制备的压电陶瓷试样的介电损耗最小，同时其他性能参数分别为：εr=1400，tanδ=0.00238，d33=37