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模拟电子技术_三极管放大作用

  c b e e c b 两个条件 (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 一组公式 三极管放大作用 e c b N P N   c b e N P P 共射极连接 放大:发射结正偏,集电结反偏 饱和:发射结正偏,集电结正偏 截止:发射结反偏,集电结反偏 临界饱和 临界饱和(虚线) 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.2.1 基本共射极放大电路的组成 基本共射极放大电路 A.核心器件BJT B.偏置电路—提供放大外部条件 C.公共地—各信号电平的参考点 1、必须为电路提供合适的直流电源,一方面建立起合适的 静态工作点;另一方面作为负载的能源,使负载获得需要 的功率。 2、输入信号必须能够作用于晶体管的输入回路,即能够作 用于晶体管的基极和发射极之间。 3、输出信号必须能够作用于负载电阻之上,而且输出电压 大于输入电压,或者输出电流大于输入电流,或者二者均有。 动画演示 动画演示 4.2.2 基本共射极放大电路的定量分析 1. 静态(直流工作状态,也称Q点) 输入信号vi=0时,放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。 直流通路 硅管取.7V, 锗管取0.2V。 估算时常忽略 Q(IBQ,ICQ,VCEQ) 求解思路: VBB,R

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