模电第二章1 晶体管.ppt

作业 2.1.2 2.1.3 2.1.6 2.1.7(a、c、e） 2.1.8 2.1.15 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中vCE?vBE,集电结正偏，??iBiC， vCE较小,称为饱和区。 例3 特点 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 vCE=vBE 2.1.2晶体管的静态特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : iB≤0, iC≤ICEO, vBE 死区电压，称为截止区。 特点 二.共射输出特性曲线 （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。 输出特性三个工作区域的特点: (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：vCE?vBE ， ??iBiC，vCE?0.3V (3) 截止区： vBE 死区电压， iB≤0 ， iC≤ICEO ?0 输出特性 即： , 且 ?IC = ? ? IB 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 考虑到基区宽度调制效应和集电结反向击穿效