03计算机BIOS系统设置.ppt

第三节 AWARD BIOS设置 16．Typematic Relay (msec)(键盘输入延迟时间) 如果第14项设为Enabled，可用此选项设定按下某一个键时，延迟多长时间后开始视为重复键入该键。该项可选250、500、750、1000，单位为毫秒。缺省值：250。 17．Security Option(检查密码方式) 设为Setup，仅在进入CMOS Setup时提示输入密码；设为System，每次开机启动或进入CMOS Setup时都会提示输入密码。缺省值：Setup。 18．APIC Mode(高级可编程中断控制) 此项是用来启用或禁用APIC。启用APIC模式将会扩展可选用的中断请求IRQ系统资源。缺省值：Enabled。 第三节 AWARD BIOS设置 19．OS Select For DRAM64MB(设定0S2使用内存的容量) Non-OS2：不使用OS2操作系统且内存小于64MB，为缺省值； OS2：使用OS2操作系统，且使用64M以上的内存。 20．HDD S.M.A.R.T Capability(设定是否采用硬盘的诊断技术) S.M.A.R.T.(Self—Monitoring，Analysis，and Reporting Technology)系统是一个驱动器运行的监听预报的诊断技术。缺省值：Disabled。 21．Small Logo Show(环保标志设定)或Full Screen LOGO Show(全屏显示LOGO) 确定在系统启动时，是否出现环保标志。缺省值：Disabled。 第三节 AWARD BIOS设置 三、Advanced Chipset Features(高级芯片组功能设定) 1．DRAM Timing Selectable 此项的值决定DRAM时钟频率/定时是否从属于SPD。设置为By SPD(默认)允许内存时钟根据SPD的设置由BIOS自动决定配置；设置为Manual允许用户手动配置这些项目。 2．DRAM CAS Latency Time(DRAM列延时时间设置)或CAS# Latency(CAS延迟) SDRAM在接受了命令并开始读之间的延迟的时钟周期。1.5个clock可增加系统性能，而3个clock可增加系统的稳定性。缺省值：2.5。 3．DRAM Cycle Time Tras/Trc(每个存取时间周期用SDRAM时钟) 缺省值：7/9 第三节 AWARD BIOS设置 4．Active To Precharge Delay(活动刷新延迟)或Precharge Delay(预充电延迟) 活动刷新延迟是指从内存到数据处理单元—次刷新所需要的循环周期数。缺省值：7。 5．DRAM RAS-to-CAS Delay(DRAM行到列的延迟时间)或RAS# to CAS# Delay(RAS到CAS的延迟) 当DRAM被读、写或刷新时可在CAS和RAS之间加入的延迟时间。缺省值：3。 6．SDRAM RAS Precharge Time(DRAM行预取时间)或RAS# Precharge(RAS预充电) 在内存刷新前选择CPU为RAS信号充电分配的时钟数。如果充电时间不足就会导致刷新不完整和数据丢失。缺省值：3。 7．DRAM Data Integrity Mode(内存数据校验模式） 根据内存类型设置是否采用ECC(error—correcting code)校验。此项取决于所安装的DRAM的型号。缺省值：Non-ECC。 第三节 AWARD BIOS设置 8．Memory Frequency For(设定内存的频率)或DRAM Frequency(内存频率) 此项可选择内存时钟频率。可选项为：Auto(缺省值)、DDR200、DDR266、DDR333。 9．System BIOS Cacheable(设置BIOS高速缓冲) 这个选项是为了加快执行BIOS，在内存中建立系统BIOS的缓存。缺省值：Enabled。 10．Video BIOS或RAM Cacheable(设置显示BIOS缓冲) Enabled：开启显示BIOS高速缓冲功能，加快显示速度。为缺省值； Disabled：关闭显示卡BIOS高速缓冲功能。 11．Memory Hole At 15M-16M(是否允许ISA扩充卡使用l5MB-16MB地址内存) 一些ISA卡要求使用14-16