集成电路制造技术_第五章物理气相淀积.ppt-西安电子科技大学.pptVIP

第五章 物理气相淀积 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 PVD：physical vapor deposition 特点：物理过程； 方法： ①蒸发：早期工艺制备金属薄膜，目前广泛应用于科 研和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体工艺中； ②溅射：已取代蒸发。 5.1 真空蒸发的基本原理 材料的三态：solid，liquid，gas； 蒸气：任何温度下，材料表面都存在自身的气体； 饱和蒸气压：在一定的温度下，真空室内蒸发物质的 蒸汽与固态或液态平衡时所表现出来的压力； 蒸发温度：饱和蒸汽压为133.3×10-2Pa时的物质温度； 升华：低于材料熔化温度时，产生蒸气的过程； 蒸发：材料熔化时，产生蒸气的过程； 真空蒸发：利用蒸发材料熔化时产生的饱和蒸气压进 行薄膜淀积； 优点：工艺及设备简单，薄膜纯度高、淀积速率快； 缺点：薄膜与衬底附着力小，台阶覆盖差。 5.1.1 真空蒸发设备 5.1.1 真空蒸发设备 主要由三大部分组成： ①真空系统 ②蒸发系统 ③基板及加热系统 蒸发淀积过程 主要有三个基本过程： ①加热蒸发过程：加热蒸发源（固态），产生蒸气； ②气化原子或分子在蒸发源