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功率快恢复二极管制造技术发展简述 前言 梗 概 一. 绪论 2. 快恢复二极管的开关波形与参数 3. 对快恢复二极管主要性能要求 快恢复二极管结构发展之一:PiN二极管结构发展 1, 常规PiN二极管（ PiN 1950’s) 2, 低损耗二极管 （LLD 1976) 3, 静电屏蔽二极管（SSD 1984) 4, 场中止低损耗二极管 （FS-LLD 2007) 5, 背注入空穴二极管 （CIBH 2006) 6, 场抽出电荷二极管(FCE 2005) 7, 浮带区熔二极管（FZ-Diode 2008 ） 8，超级结二极管 （SJ-diode) 各种 PiN 二极管结构一览 1, 常 规 PiN 二 极 管 2，低损耗二极管（LLD) 3, 静电屏蔽二极管（SSD, SPEED） 4, （场中止低损耗二极管，FS-LLD） 5, 背注入空穴二极管 CIBH 8, 超级结二极管（SJ-Diode) 四. 快恢复二极管结构发展之二: PiN/肖特基结合二极管结构发展 序：肖特基势垒二极管 (SBD) 各种PiN/肖特基结合二极管结构一览 1, PiN/肖特基结合二极管(MPS) 2, 沟槽氧化物PiN/肖特基二极管（TOPS） 3，软快恢复二极管(SFD) 4, 中部宽缓冲层二极管（ MBBL ） 1. 均匀与半均匀分布载流子寿命控制技术 2，轴向局域载流子寿命控制技术 六. 制造FRD用半导体材料的发展 七. 二极管制造工艺平台的类别 八. 结束语 谢谢! 2.5 2.0 2.0 2.0 1.0 电子饱和漂移速度vs (107cm/s) 1.9E-10 2.3E-6 8.2E-9 1.8E6 1.5E10 本征载流子浓度ni (cm-3) 1.3 4.9 4.9 0.5 1.7 热导率λ(W/cm.K) 9.0 9.7 9.8 12.8 11.8 介电常数εr 900 370 980 8500 1350 电子迁移率μn (cm2.V.s) 3.3 2.0 3.0 0.4 0.3 击穿临界场强Ec (106V/cm) 3.39 3 3.26 1.4 1.12 禁带宽度 Eg (eV) GaN 6H SiC 4H SiC GaAs Si 半导体材料 禁带宽度 大 电子迁移率 可 饱和漂移速度 大 热导率 高 击穿临界场强 高 击穿电压 高 开关速度 快 正向压降 小 功率密度 大 抗辐射力 强 工作温度 高 已有单晶片和外延片商品 已有PiN、SBD和JBS快恢复二极管商品 新材料快恢复二极管的性能优越性 第一类： 深结台面工艺，单晶片，圆片或方片 ◆工艺简单，生产条件要求低，单晶片成本 ◆电参数优化难（结太深），生产效率低 第二类：浅结平面工艺, 精细光刻，离子注入 国内：基本是第一类，罕见第二类 国外：基本是第二类，少数保留为第一类 ◆工艺复杂，生产条件要求高，外延片成本高 ◆电参数高度优化，生产效率很高 (1) 外延片（FRED)：本报告所涉及的基本都是(除以下几种） (2) 区熔单晶片 ：晶片便宜，FCE，CIBH, FZ-Diode 1，地位重要，用量大 2，技术难点多，制造难度大 恢复快 恢复软 正温度系数 压降低 耐高压 压降低 3，国内重视还不够，外延平面制造技术几乎未用, 占主流的高档产品不能做，目前利润空间大 功率快恢复二极管： 没有全面都好的二极管，不同产品对不同用途，品种很多 * 北京工业大学 功率半导体器件与功率集成电路研究室 亢宝位 2008年7月 ◆ 用途：续流；整流 ◆市场份额：大于IGBT 世界：～25亿美金 中国：～70亿元人民币 ● 我国生产现状： 占主流的高端产品几乎全部进口 ● 我国研究现状： ◆研发几百至几十ns超快恢复二极管者鲜见 ◆北京工业大学一直致力于超快恢复FRD和IGBT研发 ●功率快恢复二极管的地位 MOS栅类 双 极 类 晶闸管 4.1% 功率IC 45% BJT 6.9% 二极管 13.1% IGBT 5.6% 功率 MOS 25% 一. 绪论: 快恢复二极管的用途与对它的性能要求 二. 快恢复二极管结