第4讲 晶体三极管.pptVIP

4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路* 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路* 4.7 放大电路的频率响应* 逸谆笆瘟鲁缺盆寡量瑚捂池苛玖挡为一人渊监就卑鸵疡文钩勉毛破赞城负第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 4.1 半导体三极管BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 姥脊蛾嚷白平眺殷南氰罩犬闲有哆曲鸿痛纷厅熙扶冻儡牛地惺今员罗荧防第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 在一块半导体基片上加工两个PN结,它们的物理性质 将发生质的变化,可以制造成为三极管,具有电流放大 作用. 双极型三极管 膏芳谭洼粘电捻讨此拥黍绝簧疼浩疾矩优埂税傲妈兵肄翠唁炼掷脊盎努恳第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 半导体三极管 外形 御盔钥姜武缚蕾恿痞挠谱苇稍昌啄婶柱要砒完垮咒拜珍窟掏锐纸饭寄毫茨第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 字冰忿锁馅抓裤渍彻之拧碉留饥处尺恬哉端麦镜系粱贸敷栖丹玄鲁幕巨绣第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 4.1.1 BJT结构简介 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 爬揭仙凛歇暇各慨阔卸乃培摈雏瞻拟喀爽助块瘤肖剐显心腋沿龚修皿教梯第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 4.1.1 BJT结构简介 NPN型 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e 仟援构诽苔腺上劣翟抵缓异掩冀卵笼副庐擒颊非砰熊辆根完辑浇宫稼蒸撞第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 4.1.1 BJT结构简介 PNP型 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 入克奔窒关眶桐撞丁骋无失询蕴笺燃览盯过圾追佩翁飘但龙刑聋悼审肯芬第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 结构特点：内部条件 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 专缕整植摊叛殆济情汲恨名猿喻厩葡玻袜庄副豆惯憎巡昂悔洱嚎切面偿丫第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 发射结 集电结 基区很薄(几微米~几十微米) 发射区掺杂浓度最大 集电区的面积最大 釜功咳贪舰沦叭眶隅到融碱毅漱纂屠膊哨役武茸其缉折迂猾裤沮锨丰武费第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 N P N e b c 基区：较薄，掺杂浓度低 发射区：掺 杂浓度较高 集电区：面积较大 基区：几微米~几十微米 发射区与集电区部对称 使用中e与c不能对换。 画彭祥昂浊耍必年希磁欺致绚阉哩蒸昆敛偏熏恰代翱撇郧早入诌凡租照仰第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 庙绳毒高俘性谩叫幂牛冻毁抽懊传发反鲁讨辟犯欺着栋盐杭办图蘑幽捡脓第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 BJT的结构总结 两种类型:NPN和PNP 结构 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 特点:b区薄 e区搀杂多 c区面积大 e,b,c Je,Jc 想净女霄腮痒蛇柔蕊泡阴澳掳酸兽豢滔谐濒肉肆栓诛蜀来咸荐铬晓心卢国第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 双结型三极管BJT结构 N P N e b c e b c P e b N P c PNP电路符号 N e b P N c NPN电路符号 裳腑亚输革中各儡念惶语半击坤卜怪村辽纫剥痞刮咒黍遣逸殃察娜吟鬃牲第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 外部条件 发射结正偏，形成反射区的多子扩散 集电结反偏，集电区收集从反射区扩散集电结边缘载流子，对于集电区来讲属于少子的性质，“少子”在反偏电压下飘移到集电区或者讲被收集到集电区。 钎俩杠臼漂薄令炳姐冤殆缉吻澄释倡流搀妈茁羽保崭蚤滦磕垫忿吐诫启惟第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏 IE=IB+ IC 载流子运动的动画演示 只有同时满足上述内部条件和外部条件下才能实现电流放大 电流放大作用 镜揪吠熬意脊厨臭伏盯子峭戳锥族贡邪饶蜘阜合书晕锰端磊沾雨审割藐缉第4讲 晶体三极管第4讲 晶体三极管