影响淀积层质量的因素040423.pptVIP

7．影响淀积层质量的因素 质量取决于： 淀积反应机理的内在联系、反应条件、衬底、源物质、载气和反应器装置等因素 淀积层质量主要表现： 化学组成及纯度 晶格结构完整性和 物理化学性能等 半导体单晶薄膜质量表征参数 半导体单晶薄膜质量表征参数 半导体单晶薄膜质量表征参数 7．影响淀积层质量的因素 7.1 淀积参数对淀积层质量的影响 7.1.1 反应混合物的供应 7.1.2 淀积温度 7.1.3 衬底材料 7.1.4 系统内总压和气体总流速 7.1.5 反应系统装置的因素 7.1.6 源材料的纯度 7.1.1. 反应混合物的供应－－决定材料层质量重要因素之一 气相淀积的必要条件：气相过饱和度 气相物种的分压决定了： 固相的成核和生长； 淀积速率和材料的结构状况 最佳反应物分压及相对比例――需实验选择 反应物分压过大，表面反应和成核过快，损害结构的完善性，甚至导致多晶淀积； 分压过小，成核密度太小，不易得到均匀的外延层 反应物分压之间的相互比例 反应物分压之间的相互比例－－决定淀积物的化学计量 例如III-V族、II—VI族化合物半导体、Nb3Sn和Nb3Ge等超导材料，特别GaAs1-xPx、Ga1-xInxSb、AlxGa1-xAs等混晶材料，主要靠调整气相反应物分压比获得所需化学组成的淀积物，形成一定禁带宽度和物理性能的材料。 TMA-TMG-DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs（630℃） 气相反应物分压对淀积层纯度的影响例Ga-AsCl3-H2 7.1.2 淀积温度－主要的工艺条件 同一反应体系，在不同温度下，淀积物形态可以各异（单晶、多晶、无定形物，甚至不淀积） 温度影响淀积过程各步骤及它们的相互关系，对淀积物质量影响的程度与淀积机制有关： 提高淀积温度对表面过程速率影响更为显著： 导致表面控制向质量转移控制转化 提高成晶粒子的迁移能力和能量 外延层单晶性和表面形貌得到改善 衬底温度的影响 在相同的气相分压下，由于淀积温度不同，固相组成相差悬殊。通常，在热力学因素对淀积过程起控制作用的体系中，固相组成与气相分压、淀积温度具有确定的对应关系，以致可以通过热力学计算定量预言这些因素 淀积温度对淀积物化学组成的影响 淀积温度影响 气相过饱和度 和气态物种 的相对活性 衬底温度的影响－自掺杂效应 温度升高：反应器结构材料的杂质污染程度提高。 衬底材料杂质的自掺杂效应：通过气相或界面扩散 异质外延生长，因材料的热失配形成的热应力造成的界面缺陷扩散随温度升高而加剧。 衬底温度应该尽可能的低： ★避免自掺杂效应 ★降低界面层的热失配 ? ? 淀积温度影响 实践表明，淀积温度对杂质的掺入影响显著；不同晶面，影响程度不同。 例如在GaAs气相外延中，淀积温度对(100)面影响最大。 载流子浓度随温度的变化 跟淀积速率的趋向一样， 表明温度改变杂质的淀积 动力学。 如图6-2所示 降低淀积温度新体系选择 Ga-AsCl3-N2系统 代替 Ga-AsCl3-H2系统， 生长温度降到 600～650℃， 其界面载流子 分布得到显著 改善(图6-3)。 淀积温度的影响---AsCl3-Ga-N2 淀积温度的影响TMA-TMG=DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs 降低淀积温度 衬底温度应该尽可能的低，并精确控制淀积区温度 合理选择反应体系 目前，大规模集成电路工艺中，己广泛采用以金属有机化合物为源（如Ga(CH3)3-AsH3-H2）的所谓低温(300～500℃)化学气相淀积技术，以代替旧有的高温氧化、高温扩散等工艺。 7.1.3 衬底材料的影响 化学气相淀积法制备无机薄膜材料， 是在一种固态基体表面(衬底)上进行的。 基体材料是影响淀积层质量的关键因素。 ?衬底材料的选择 ?衬底材料的影响 ?衬底晶面取向 衬底材料的选择 ★衬底材料的选择： ? 异质外延中对衬底材料的一般要求： (1)淀积温度下，热力学稳定，不发生热分解； (2)淀积温度下，化学稳定，不易受反应气氛的侵蚀； (3)晶格类型和晶格常数尽可能与外延材料相近； (4)热膨胀系数尽可能与外延材料的相近； (5)热导性能好，可抗热冲击 (6)切、磨、抛、化学清洗等处理工艺易于进行； (7)成本低，适于大量应用。 衬底晶面取向 ★衬底晶面取向 ：影响淀积速率，也严重影响淀积层质量。 晶面上原子的种类和密度、生长台阶排布的状