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第六章 第6章 存贮器 6.1 概述 6.2 读写存贮器(RAM) 6.3 只读存贮器(ROM) 6.4 外存贮器简介 6.1 概述 6.1.1 存贮器的分类 1．读写存贮器RAM 读写存贮器(RAM)按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。 (1)双极型RAM 双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒(ns)。 (2) 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存贮器(SRAM)和动态读写存贮器(DRAM)。 ①静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百ns，集成度比较高。 ②动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。 2．只读存贮器ROM (1)掩模工艺ROM (2)可一次编程ROM (3)可擦去的PROM 6.1.2 存贮器的主要性能指标 1．存贮容量 这里指的是存贮器芯片的存贮容量，其表示方式一般为：芯片的存贮单元数