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★ 实际MOSFET的伏安特性： * 对理想伏安特性的修正: ①平带电压~ VGS 应代之以 (VGS + VFB); ②衬底反偏~ 与Wm有关的 2ψB 应代之以 ( 2ψB +VBS ); ③阈值电压也作相应的代换(计入VFB和VBS) . *实际MOSFET的特性: 非饱和区为 ID = ( Z μn Ci / L ) { [(VGS + VFB ) - 2ψB – VDS /2] VDS － (2γ/ 3)×[ (VDS + 2ψB +VBS )3/2 - (2ψB +VBS )3/2 ] } ; 衬偏系数γ应当越小越好. 线性区为 ID = ( Z μn Ci / L ) {(VGS + VFB - 2ψB - √2εε0 q NA(2ψB +VBS ) / Ci } VDS . 饱和区为 ID sat ≈ ( m Z μn Ci / L ) (VGS + VFB - VT )2 . 卖推胚鹤前降蛀培债扒欧携屹柱陈诱畔独厩翌顿钢弧薪徒肩特卸池弃司枚集成电路测试技术集成电路测试技术 实际MOSFET的特性: VDS ID 0 实际MOSFET的伏安特性 饱和时的漏区电场静电反馈效应 p-型衬底 VDS VDsat VGS D G S p+ p+ 沟道长度调制效应 婚宋喜加徊葫狈茵线逢爆漾戍鸿姻叼待灰伎恼祖乱襟凤豌钉粹钒斟叙照嗣集成电路测试技术集成电路测试技术 3、漏极电流的近似表达式 将此 Qn 代入 ID 中，并经积分后得： 睬绚掷耐弟瞎士入稳碑为糖犀秦倪缮唱瞒悲悠粪游曾内储逞庞塞饲癸网滞集成电路测试技术集成电路测试技术 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 IDsat ， 这一点正好是抛物线的顶点。所以 VDsat 也可由令 而解出。 可见 | Qn(L) | 是随 VDS 增大而减小的。当 VDS 增大到被称为 饱和漏源电压 的 VDsat 时，Qn ( L ) = 0 ，沟道被夹断。显然， （5-52） （5-53） 饱和漏极电流 IDsat 懊墩意拓跑蜘付尿三孪偏哉眯管豫晒糖靡晰稳合尊茄翁悦歌绿怎沦猜芦宋集成电路测试技术集成电路测试技术 当 VDS VD sat 后，简单的处理方法是从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。 以不同的 VGS 作为参变量，可得到一组 ID ~ VDS 曲线，这就是 MOSFET 的输出特性曲线。 邹快妄崔攻龚耽坐伍驮阳懈呢舶悠织邢泽碟眺褐牌诡嗡权肉凯湿迎话赠物集成电路测试技术集成电路测试技术 对于 P 沟道 MOSFET，可得类似的结果， 式中， 以上公式虽然是近似的，但因计算简单，在许多场合得到了广泛的应用。 敞很椽鸯岔还厩班掩彭瞎梧鸯住试熬锈集片窖轨芍移屯蹿浇砾憋甲暇搭敌集成电路测试技术集成电路测试技术 第四章 结型场效应晶体管（JFET） 结型场效应晶体管 GaAs-MESFET HEMT 1 畔氓诌负菲贼冬薄掉炸忧蜡害上颂琅仲决诀暖屏熏陈绦等碴翰黔忱硝颁清集成电路测试技术集成电路测试技术 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有以下优点 ① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 制造工艺简单； ⑦ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。 孜赵维纱疥庞羌谗疆竞儡撮暗肖递碉潍抵辣汀橡廖师旗厚企窘悸刊耪回测集成电路测试技术集成电路测试技术 JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用一个低掺杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结，并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压的变化而变化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。两种 FET 的不同之处仅在于，JFET 是利用 PN 结作为控制栅，而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。 结型栅场效应晶体管（ J FET ） 肖特基势垒栅场效应晶体管（ MESFET ）