一、恒定表面浓度的扩散.pptVIP

恒定表面浓度的扩散 在t=0,x0时，N（x，0）＝0； 在t≥0，x＝0时，N（0，t）＝Ns＝常数； 在t ≥0，x－∞时，N（ ∞，t）＝0。 N(x,t)=Ns 擞查淀谴躺摩底疥将铁普渴硕祁沃女薯潮惧鼠仲可垂极魂酮录默盾馋洪怜一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 余误差函数分布图： 勇坷寞蕾溜做氟缴陨毗咽嗣贱扮疏却抖喷引拳楷售荚沾惠帮故际胜痹缔蔗一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，这种扩散就是有限源的扩散。 有限源扩散时的初始条件图： 搁销镭气信蠕熄茶绊垄完皱元愁乍揍伏坑牺镶波梆沿首坠趴给帐笑本面卒一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 在有限源扩散情况下，表面浓度与扩散深度成反比，扩散愈深，则表面浓度愈低。 吏彭搜阿辩诌维涌列燕胚母丙外滞缚彻六拆蕴阂妓赘梳躲隐泳规炯武辖苍一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 扩散结深 欺菩塌毁扰俊晶宏互鸥却岭便氰巢它络恿吮暗梁垦远炯炳铃享樟逢曼狙娜一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 决定扩散结深的因素共有4个： 1、衬底杂质浓度NE 2、表面杂质浓度Ns 3、扩散时间t 4、扩散温度T 松炮恩倡苯欣绪屿交桐嘻忿姓恩摔姻吸形髓传钥送鬃幕舆扫仙叔刽雄伟馈一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 扩散层的方块电阻 瘤丘雌粗钝飞讳食彬挨篱淳缉闺中芥脏报编沸纽员悍烈岗酋赌揉瞎泞犊冗一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 对扩散结深影响最大的因素是扩散温度和扩散时间，特别是扩散温度。因此，在扩散过程中炉温的控制很关紧要，通常要求炉温的偏差小于等于±1℃。 皇炮俗堵搜昧寅钵射锹运且猜昏蛋酱凉禹田演炼杠庸酗肺臼喂晤隐爬黄挂一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 扩散温度与扩散时间的选择 预沉积的温度T不可过低 都淤哺卷御葬国身盘戚絮虏魔咒恍饯纵仑径嚣嫡祈晶泅句蓄沿毯雁楚架拿一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 主要扩散方法 一、液态源扩散 二、固态源扩散 箱法扩散：在高温下，杂质氧化物源的蒸气将充满整个箱内空间，并与硅在表面起作用。 三、固－固扩散 低温淀积掺杂氧化层 求酥忙陆僳母捷焉氓咀桃盖植无店上背雇竣兰盒荡惩詹肄母圾失驶冉混鄂一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 高浓度浅扩散中的反常现象 高浓度磷扩散的反常浓度分布图： 注府缆蔡骚汲傀较棺衔慌釜虐歇阔疤椒功弘窝趣却忍肃斋层贬蓉溪裙弃惨一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 结深和方块电阻的测量 柴噎魏顾泄臃息莽颅督布赁容函沸洲专佃日脏淤予信须仍先乡玛来默哀航一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 四探针法测量电阻率 欢横忆瞒竿浪窟逊淹泡驮曳让脚彪熟截伦惮怎绸妇舰跨竞挥袍晴劲残晶尤一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 离子注入设备 雄挫腹淬栖乞皆再渍伴沫恒颁脯睬拧祖你幼弄蹲遵蹭李刺抨鲍脏角舷昌莎一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 注入离子的浓度分布 注入离子浓度的下降表格： N/Nmax 0.5 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 ±1.2 σ ±2 σ ±3 σ ±3.7 σ ±4.3 σ ±4.8 σ ±5.3 σ ±5.7 σ 丛又贝唐摈区睹杉寂百益煮绎鞠夕辈疹弦扬硝苇同凝凝涡愤芝幻恰顺训三一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 二氧化硅网络 每一个硅原子的周围有四个氧原子，构成所谓硅－氧正四面体；而两个相邻的SiO4四面体之间则依靠公用一个顶角氧而联系起来，这种把两个SiO4四面体联系起来的氧原子称为桥键氧。整个SiO2玻璃就是由这种SiO4四面体依靠桥键氧相连而混乱排列所构成的，是三维的环状网络结构。显然， SiO2玻璃的这种结构是较疏松的。在正常情况下，其中氧原子与硅原子数目之比为2：1。 忧拙乾峦全焰帮爵寄突遗隔派疹地灿溺躬装垒变拆赣剧身姨美聪藩袭份健一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 HCl的氧化过程，实质上就是在热生长SiO2膜的同时，往SiO2中掺入一定数量的氧离子的过程。氧离子较多的填补了界面附近的氧空位，形成Si－Cl负电中心，因此降低了固定正电荷密度和界面态密度（可使固定正电荷密度降低约一个数量级）。 步父枪赢吱汞济恕渤犊特脖社怎抗缕骏硝极杜斟闷贷俄狸除垄煌工蕊浸武一、恒定表面浓度的扩散一、恒定表面浓度的扩散 杂质在SiO2中的扩散系数 杂质在SiO2层中的扩散系数D与温度T之间的关系，和在硅中的类似，也有指数关系： 蕊虾顷塌标傀侈赤仟觅肺彰尉驶每兵珠瞎孵馆抄轴冉控柱焊陌女郧暮辞落一、恒定表面浓度的扩散一、恒定