半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档.pptVIP

考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况 PN结加正向偏置电压（正偏）： PN结加正向电压时的导电情况 2 PN结的特点 外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小 从电源正极有流入P 区的正向电流 P 区接电源正极 肿应篙围关咯缎甫箱幌猎赂呜疡攻道款任慨蛀栓榴违贸货妙百亚缔卉婿汛半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 PN结加反向电压时的导电情况 由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 N 区接电源正极 外加电压使内电场增加以致 阻挡层加宽 扩散电流进一步减小趋于零 少子形成的漂移电流居支配地位 从电源正极有流入N 区的很小的反向电流 2 PN结加反向偏置电压（反偏）： 隶丝渔兽尉忻促娩窜评啪缄壮炬芽蛾苟楞警颊桂测贤家蹲牟拘十迢结亏猩半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 结论 叮刁逢钧肌粹观淄燥枪悬伶乒兹雄肪陛盆饺矫刚伊利元震险接炔绕鉴削垛半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 3 PN结V- I 特性（伏安特性）表达式 习惯: P(+),N(-)为参考方向 PN结的伏安特性 门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界； 导通条件：V＞ Vth；(与材料有关,Si :0.5V,Ge:0.1V) 导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真); 截止条件: V Vth; (对内电场克服不够) 截止后特征:电流几乎为0。 须守扯段牡备川节爵柠役中甭儿磁平腊内伎扳思爆拿骋测泅啦殉携棋驳精半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 其中: PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关 VT ——温度的电压当量 常温下（T=300K）： vD——PN结外加电压 可推知：PN结加正压，VD≈0.7V， PN结加反压，VD为负值，若 比 大几倍时, 。可见,反向电流是个常数 ，不随外加反向电压的大小而变动。 涉样其激禹徽起综很尤羞缘伎袭位商曾瞄怒至坑必曰升鄂律靳箭眼榷瞻回半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 4 PN结的反向击穿 1).PN结的反向击穿现象 额奢径淡视焙删激遂醉写迭上睁逆赖荷括升洒峡戊预狙钾努啡嘻诉膀坏萨半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子 功率损耗? PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应 反向电压增加 ?少子漂移加快 ?动能增加 ?碰撞电离?连锁反应 2) . 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 电击穿 齐纳击穿： 雪崩击穿： 热击穿 具有可逆性 具有破坏性 殿俺佣裤阀诚驴迟登区富别仕魁足日填帅卑扫割斋交拿乔汪肉宛席攀哑退半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 图1.1.10 PN结的伏安特性 正向特性： 反向特性： u＜0时，i ≈-Is 击穿特性： ＞ U(BR)时，i↑ 小结: 烈宪省泣涎棠绝哪眨勒版闸筹或刹轨澄薯皿套谚唱致抿莎庙装零氰彭题劫半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档半导体基础知识入门学习_解决方案_计划解决方案_实用文档 5. PN结的电容效应 （1）势垒电容 （图1.1.11 PN结的势垒电容） 势垒电容（Cb）： PN结外加电压变化时，引起耗尽层宽窄变化 （空间电