第02章双极型晶体管及其放大器.pptVIP

第2章 §2.1 双结型晶体管 §2.1.1 双结型晶体管的结构及符号 双结型晶体管又称半导体三极管、晶体三极管、三极管，一般简称晶体管（BJT）。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。 三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。图1.26所示为三极管的结构示意图和符号。 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图1.27所示。 §2.1.2 三极管的电流分配原则及放大作用 要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。三极管实现放大的外部条件是：其发射结必须加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。 1. 共射放大器电流分配的原理 晶体管的电流分配可以用载流子在三极管内部的运动规律来解释。如图2-5为的三极管内部载流子的传输与电流分配示意图。 1.实验 为了了解三极管的电流分配原则及其放大原理，首先做一个实验，实验电路如图2-6所示。在电路中，要给三极管的发射结加正向电压，集电结加反向电压，保证三极管能起到放大作用。改变可变电阻Rw的值，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流的方向如图中所示。 由实验及测量结果可以得出以下结论。 （1）实验数据中的每一列数据均满足关系：IE=IC+IB； 此结果符合基尔霍夫电流定律。 （2）每一组数据都有IC IB，而且有IC与IB的比值（β）近似相等。 （3）每两组数据（调整Rw前后所测数据）中IC和IB变化量（ΔIc、ΔIb）的比值，结果仍然近似相等。 （4）当IB=0（基极开路）时，集电极电流的值很小，称此电流为三极管的穿透电流ICEO。穿透电流ICEO越小越好。 2. 共基放大器的电流分配 §2.1.3 三极管的特性曲线及主要参数 1.三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。以NPN型硅三极管为例，其常用的特性曲线有以下两种。 （1）输入特性曲线 它是指在一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实验测得三极管的输入特性曲线如图2-7所示。 （2）输出特性曲线 它是指一定基极电流IB下，三极管的集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。实验测得三极管的输出特性曲线如图2-8所示。 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。 ① 截止区 三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： （a）发射结和集电结均反向偏置； （b）若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； （c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 ② 放大区 图2-8中，输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置； （b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式： IC=βIB （c）对NPN型的三极管，有电位关系：UCUBUE； （d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置； （b）三极管的电流放大能力下降，通常有 ICβIB； （c）三极管的UCE值很小，