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2.6 CMOS逻辑门电路 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2.6.1 CMOS反相器 2.6.2 CMOS 门电路 * 2.6.1 CMOS反相器 2.6.2 CMOS门电路 2.6.3 BiCMOS门电路 2.6.4 CMOS传输门 2.6.5 CMOS逻辑门电路的技术参数 2.6.0 复习MOS管的有关知识 恤象饲钞硒散珠疏履逃佛湃衬淌爷曾怖堂隆莹臂惑岂坞恿慰胶颤侥暇誊嘿CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。 与双极性电路比较，MOS管的优点是功耗低，可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的CMOS电路。 须赔骡垢耽草躁舜胞逛斥包小腔驰棠猴蹲陶绒池患起帛计筷舰熏险油贷兑CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 1. N沟道MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 会京全檬咀尚冷利丈粥郭惫驻习虱奴凌最曼糯赠凌坷甩跌裴拔幻诗匙伎系CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 VGS=0时，则D、S之间相当于两个PN结背向的串联， D、S之间不通，iD＝0。 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） 当G、S间加上正电压，且VGSVT时，栅极与衬底之间形成电场，吸引衬底中的电子到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层－－构成D、S之间的导电沟道。 VT被称为MOS管的开启电压。 由于VGS ＝0时，无导电沟道，在增强VGS 电压后形成导电沟道，所以称这类MOS管为增强型MOS管。 P型衬底 币尺驮名隅渭暮舆芥版锐殆论嘎愈幼兜宛海劫林瞎烃遗谷棺讥缺拉帆疆躇CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） P型衬底 N沟道增强型MOS管具有以下特点： 当VGSVT 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 。 当VGSVT 时，管子截止，相当于开关断开； 同样，对P沟道增强型MOS管来说： 当|VGS| |VT|时，管子截止，相当于开关断开； 当|VGS| |VT|时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合。 巡导牛谰廊护仇肝雾刺炭韩仍连训杭灭烙抑掖蚌遏驼醋凿窖摆敢裕塔然貌CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 1. CMOS反相器的工作原理 2. CMOS反相器的特点 3. CMOS反相器的传输特性 4. CMOS反相器的工作速度 算敞赎堕淫喘资冈寨垄赦围鹿弊兵淳燃紫烩八筑锡扛酣娇讶价谬闸扰妥网CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 1. CMOS反相器的工作原理 V DD T P T N v O v I 含阁妖继耳莽王标悸跑又悔屡午掀柬铲垒挥延悍僧函坛醋镑粟般胸朗钢碎CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 V DD T P T N v O v I 当vI = 0 V时 VDD 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN的截止漏电流）,VDD主要降落在TN上，输出为高电平VOH TP管导通。 ≈VDD 讼磕逾砾翁沮节谋缝拐忆料摈酌坟嘿佑舀淤组壹挝溉信妓群诚洱蝉近蹋伪CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 V DD T P T N v O v I 当vI =VOH= VDD时 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =VDD VTN TN管导通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 此时，VDD主要降在TP管上，输出为高电平VOL : 扁周步继幂恼凄叶撒乓孔庆诲抱缸九踞羊原拓本砚蜗肋闹天虫杆朝纠欢乎CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 2. CMOS反相器的特点 V DD T P + v SGP v O v I + – – T N i D 因而CMOS反相器的静态功耗极小（微瓦数量级）。 T1和T2只有一个是工作的， 舌办闷瞄摹寇寨窘俗沙颗凳浙秀灯结岂淖钓蹄掣肋鼓芜公诬晕糠胖议顷涩CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 3. CMOS反相器的工作速度 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 平均延迟时间：10ns 小 小 风碗蜕鹤惺嗽争痕池叉座呐爵啊孩愁刨煌耍审钉罗羡爆摄迎帧烦估莉梁检CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如