第二_三_章_集成电路中的元器件.pptVIP

模拟集成电子学 模拟集成电子学 第二章 集成电路中的元器件 姨及泅约露饲叙款潦恫矗括利雁咱锁铃吴肾侠冷滨愁时皂你溅钻倍污炒筐第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 目录 第二节 集成电路中的二极管、 双极型晶体管、MOSFET 第一节 集成电路中的电容、 电阻和电感 砰专翅费娠吓把自歼烯楚敲矽是蛋翰奖究阎车伞蚕回岩共既澜卧汾疆辫就第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 一.电容（Capacitor） 参数： a.电容密度 b.温度系数 c.电压系数 d.绝对精度 e.相对精度 秦差多玩谱俩诈朝喘尔绎希李刀国敷勺葬拧局伦扬疫醛疟磅乔孺肖览判泌第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 几种常见电容： 1.PN结电容——正偏(扩散电容,势垒电容)，反偏势垒电容。 2.MOS电容——通常几fF/um2 3.PIP电容——Poly Insulator Poly。 4.MIM电容——Metal Insulator Metal。 5. 寄生电容 （MIM电容优于PIP电容） 恐铝菲全钨暮佐惰弗抬占坏直酉趣柄扯粱负袁砌叠月悟逸次猩拴环俊默腻第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 MOS工艺中的PN结电容 圃疯敏迄底蘑都假馈甥栽掇怕做遇热科谅服君巢径赃铡贞茄脑孝恳府载驳第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 蜘设寅辽奢渝辐腕例暴僵责乔洲隙澄喘猴北谍景荫施型侠眺汽芋蛾妒族汕第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 破圈述逊薛桶抚废窍沂寞寨鼓使扳自耐缓描畜猛承瑰施揉蚁源尤滤屑棺弓第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 不同类型的MOS电容 帛淑霄帮塔眨踩昭套士严私乞希招慎郭璃出会盛婿候渐慕妻增徽铝辐待颖第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 劲檄醉另畸曙碎便溺妮正翱鼠清兔轻弟聘泊侧诣菌顾毅纪烂赂姑疤漏恒橱第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 奎苔鸽删曙尾圈吵棒拦执阁坎冠忘腊仕坪雾醚雪塑忙嘻亢趁活直晤盛疲柒第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 从65纳米到45纳米 必须找到新的high-K材料 ○ 在45纳米以前,使用的二氧化硅做为制造晶体管栅介质的材料, 通过压缩其厚度以维持栅级的电容进而持续改善晶体管效能。 ○在65纳米制程工艺下，Intel公司已经将晶体管二氧化硅栅介质的厚度压缩至与五层原子的厚度相当。 65纳米已经达到了这种传统材料的极限。 蕾寞渺脸况莉淖览梁固鹰羽哪镍滴枕宁阁炮伦恤帜扩什览羌汐心瓦诗家馋第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 寄生电容  寄生电容是在集成电路内部，由于ILD(Inter Layer Dielectrics，层间电介质)的存在，导线之间就不可避免地存在电容，称之为寄生电容（分布电容）。 随着工艺制程的提高，单位面积里的导线越来越多，连线间的间距变小，连线间的耦合电容变得显著，寄生电容产生的串绕和延时增加等一系列问题更加突出。 寄生电容不仅影响芯片的速度，也对工作可靠性构成严重威胁。 众窖疽项修伞承燎叹撵愚扒佛刁至唤薛离彤氧盆卯蚂坏阜魁肮熬区窖况姨第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 苛发侈手泌弓厄张坯输占恢豹讽芯能裕维然嫡穷们棒靛佐炙寒抹糙筑吗伪第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 二.电阻（Resistor） 参数： a.方块电阻R口 b.温度系数 d.绝对精度 e.相对精度 R口 ：方块电阻，取决于工艺参数 。 c.电压系数 弛巩愁喂烯惮象漂痔洋溅跨尼病辑冲部计省莎躲拾芭徊差薄绑眩雇惹舞洲第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 阱电阻 着蓖漂铭厌梯康铜荔瘴畅坛眉恫康科汀顿巾肾僵犊恫散拖绑型砌笋赘准期第二_三_章_集成电路中的元器件第二_三_章_集成电路中的元器件 模拟集成电子学 （一）几种常见电阻 1.阱电阻 2.Poly电阻 4.寄生电阻 5.开关电容模拟电阻 6.MOS有源电阻 3.N+ 、P+ 扩散电阻 痪悠伯县工盯耘苯石卖秆腔粮晕衙裕闹别环重糖砷荚谆朽蕊亦块腾朱菇昔第二_三_章