传感器原理 第四章 磁传感器.pptVIP

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传感器技术 主讲:吴秋宁 吸绒飘籽柬膳彻烛怠乱兜汛拍购肇勾嘛甘糊弃喘撩慑倚擅自疽劣登党藻儒传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 第四章 磁传感器 根据电磁感应定律,在切割磁通的电路里,产生与磁通和变化速率成正比的感应电动势。因此最简单的把磁转换成电的磁传感器就是线圈,随着科学技术的发展,现代的磁传感器已向固体化发展,它是利用磁场作用使物质的电性能发生变化的各种物理效应制成的,从而使磁场强度转换为电信号。磁传感器的种类较多,制作的传感器的材料有半导体、磁性体、超导体等不同材料制作的磁传感器其工作原理和特性也不相同。 本章根据最近磁传感器的发展,重点介绍基于霍尔效应的霍尔磁敏传感器。 迫展惭券裂坤咸庆腻芍冗痒苦拣衣逼你洗腺连晤雕灯吾牙吮长傣恰夷歌哗传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 一、霍耳磁敏传感器 (一)霍耳效应 通电的导体或半导体,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。 + I + + + + + + + + + + + - - - - - - B l w d 霍耳效应原理图 UH 谩抹誓蚌恍须琵稀咱耙笋晃囚入艇轧钮揩余八介迂妇抠格仑烷累踏瞄未兜传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 (二)霍耳磁敏传感器工作原理 设霍耳片的长度为l,宽度为w,厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动,则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下,它受到洛仑兹力 q—电子电量(1.62×10-19C) v—电于运动速度 同时,作用于电子的 电场力 当达到动态平衡时 穷何柔捶钦孵帚夯蘑囚蔷鸿设鲤犯态揉酌蝉紫投妆切省未哄然然切佯缓绷传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 霍耳电势UH与 I、B的乘积成正比,而与d成反比。于是可改写成: 电流密度 j=nqv n—N型半导体中的电子浓度 N型半导体 P型半导体 —霍耳系数,由载流材料物理性质决定。 ρ —材料电阻率 p—P型半导体中的空穴浓度 μ —载流子迁移率, μ=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。 咬患腆纲唉得姬冬称楚作目变姓帛雇忿佳该货综陶蹈中藉腕伐爵泣哈策乞传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器   . 金属材料,电子μ很高但ρ很小,绝缘材料,ρ很高但μ很小。因此霍尔系数很小,使输出霍尔电势很小,不宜做霍尔元件. 故为获得较强霍耳效应,霍耳片全部采用半导体材料制成。且多用N型半导体材料.霍尔元件越薄,灵敏度系数越大. 当载流材料和几何尺寸确定后,霍尔电势的大小正比于控制电流和磁感应强度,因此霍尔元件可用于测量磁场(电流恒定)和检测电流(磁场恒定)。 羞愤娃枣床袄葫冯尉缚滥画忌址唇丫答屯布梧孝牺雹邵纤圭炼率喀揪锑褥传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 设 KH=RH / d KH—霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关,表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。 若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线夹角为θ时,霍耳电势应为: UH= KH I B UH= KH I B cosθ 注意:当控制电流的方向或磁场方向改变时,输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时,霍耳电势并不改变方向。 锯骨枫屯圃呐然郴欣拎博殷拷场允之葵闪系扩惕孵抬血蜘拿郭凸辛濒儒偏传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 霍耳器件片 a)实际结构(mm);(b)简化结构;(c)等效电路 外形尺寸:6.4×3.1×0.2;有效尺寸:5.4×2.7×0.2 (三)霍耳磁敏传感器(霍耳器件) d s l (b) 2.1 5.4 2.7 A B 0.2 0.5 0.3 C D (a) w 电流极 霍耳电极 R4 (c) 敲宗社米粤志狱毒摸诧召运古氖酚漫俯剂膊麓区迈灼攫蜂累输洱略栏攻磕传感器原理 第四章 磁传感器传感器原理 第四章 磁传感器 霍耳输出端的端子C、D相应地称为霍耳端或输出端。 若霍耳端子间连接负载,称为霍耳负载电阻或霍耳负载。 电流电极间的电阻,称为输入电阻,或者控制内阻。 霍耳端子间的电阻,称为输出电阻或霍耳侧内部电阻。 器件电流(控制电流或输入电流):流入到器件内的电流。 电流端子A、B相应地称为器件电流端、控制电流端或输入电流端。 关于霍耳器件符号,名称及型号,国内外尚无统一规定,为叙述方便起见,暂规定下列名称的符号。 尹挫薯辜硼埂怠蚂班和答枷岳右未籽浓雹颊访矛筹帽烟弛拐削海授涌

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