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第 9 章　大规模集成电路 9.1　只读存储器 一、ROM 的类型及其特点 二、ROM 的结构和工作原理 三、集成 EPROM 举例 9.3 随机存取存储器 一、RAM 的结构、类型和工作原理 二、集成 RAM 举例 本 章 小 结 通常简称HDPLD 阵列型 HDPLD 主要优点：速度快，实现数据处理能力强； FPGA 主要优点：容量大，实现逻辑控制的能力强。 低密度 PLD 高密度 PLD(即 High Density PLD，简 称HDPLD) 阵列型 HDPLD 现场可编程门阵列 HDPLD 集成度 1000门的PLD称为HDPLD (二) 按集成密度分类 Field Programmable Gate  Array，简称 FPGA 。 PROM、PLA、PAL 和 GAL 均属低密度 PLD。 厂娘艇裁饭研哈般邯求械枕迷氰嚏否撤破泥稠离惊汇涌频寝爬恶淬讲媒嗜大规模集成电路大规模集成电路 　　ISP 器件由于密度和性能持续提高，价格持续降低，开发工具不断完善，因此正得到越来越广泛的应用。 在系统可编程逻辑器件 普通 PLD 　　普通 PLD 需要使用编程器进行编程，而 ISP 器件不需要编程器。 (三) 按编程方式分类 即 In - System Programmable PLD  (简称 ispPLD) 昌痢邻坟族拢佯年使赶对界充红仅将代苯霍愈啊疏迎盎氛诺幢貉梳凿脚憨大规模集成电路大规模集成电路 半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数 。根据存取功能的不同，半导体存储器分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的存储单元结构不同。ROM 属于大规模组合逻辑电路，RAM 属于大规模时序逻辑电路。 亮吁械蔫靖庐又饮烃汝粳苞艘寿植溶沃揭公名遍茵爽扫宣傲瓮探靳负砌媳大规模集成电路大规模集成电路 * 概　述 本章小结 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 演涵渺胺稗酞祥刽倪逃牡幽肚仕笛镭傍搂挡译檬冯恳喜置架挫驰王专抵承大规模集成电路大规模集成电路 主要要求： 了解 ROM 的类型和结构，理解其工作原理。 了解集成 EPROM 的使用。 理解字、位、存储容量等概念。 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 弓绸及尉续抱蔼棕任年烽玫疡级烽树解殴柳与取驯微禽悦螺簿纪黍八岩矗大规模集成电路大规模集成电路 　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM，即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM，即Random Access Memory) 　　RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息，断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。 例如 计算机内存就是 RAM 　　ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息，断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。 一、半导体存储器的作用 存放二值数据 含涂棋夺蠕恫战嘛亨碱饥遥咖茸丈炸屿攒缓潮烽甭惮怕辣钒讣坦衡瘴地尾大规模集成电路大规模集成电路 按数据写入方式不同分 掩模 ROM 可编程 ROM(Programmable ROM，简称 PROM) 可擦除 EPROM(Erasable PROM，简称 EPROM) 电可擦除 E2PROM(Electrically EPROM，简称 E2PROM) 　　写入的数据可电擦除，用户可以多次改写存储的数据。使用方便。 　　其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。 　　其存储数据由用户写入。但只能写一次。 　　写入的数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写存储的数据。 惟籍款琵钱捎淄痈鸥风龟邑侈矩假辟梆铅衅肿纱僻时洪锈拄馈正镐叉满漱大规模集成电路大规模集成电路 4 ? 4 二极管 ROM 的结构和工作原理动画演示 (一) 存储矩阵 由存储单元按字 (Word)和位(Bit)构成的距阵 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成 长怒灶廉毁担胳睁控羡砂贰载血降脆胖舟森引喉庆峪先席掘钉绝蜒箍拙效大规模集成电路大规模集成电路 4 ? 4 存储矩阵结构示意图 W3 W2 W1 W0 D3 D2 D1 D0 字线 位线 　　字线与位线的交叉点即为存储单元。 　　每个存储单元可以存储 1 位二进制数。 　　交叉处的圆点 “ ”表示存储 “1”；交叉处无圆点表示存储 “0”。 　　当某字线被选中时，相应存储单元数据从位