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* 第七章 半导体存储器 一、概述及分类 二、只读存储器（ROM） 1、掩模只读存储器 2、可编程只读存储器（PROM) 3、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） (1) UVEPROM (2) EEPROM (3) 快闪存储器（Flash Memory) 三、随机存储器（RAM） 　　静态随机存储器 (SRAM) 四、存储器容量的扩展 五、用存储器实现组合逻辑函数 第１讲 第２讲 豪典守林淳仑豁砍寿锗职急涵追宰耸痢嗣症屑顺艇着隅假诀露诈谤裂潜梢数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 第七章 半导体存储器 (第二讲） 三、随机存储器（RAM） 　　———静态随机存储器 (SRAM) 四、存储器容量的扩展 五、用存储器实现组合逻辑函数 龋祷矗管宪族栏否垢挚搁壮操劲萍搜拼满嘿苫惧殿拱疏呜毫妇拣兵秆实蚕数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 三、随机存储器（RAM） ————静态随机存储器（SRAM） 随机存储器也叫随机读写存储器，在RAM工作时，可以随时从任何一个指定地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元中，它最大优点是读写方便、使用灵活。但是，它也存在数据易失的缺点。分静态RAM和动态RAM，我们只介绍静态RAM。 动态存储是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于零，所以电荷保存的时间有限。为了及时补充漏掉的 电荷以避免存储的信号丢失，必须定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作叫做刷新或再生。因此必须辅以刷新控制电路。 诡版矩棺蓟邵灰验诉嗽站已咱公债燥扰琵胺辽岸肝炳恐锤赴便恩窒墟江拾数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 1、SRAM静态存储单元 掇郸苟甄磋钒小屉腥糜盖唾行贵殉赖蜕纫肩届真颇惜小狂巧舷昏杂规哀增数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 差瑶淮滞淑着辱冤浚卡胖纷芳驱电风径醚壮如惊莱触秩驳屑也窒晒旋赛锦数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 2、SRAM的结构和工作原理 军聊砍氓册峭衙戌痰命赛炼雕辱馁向羞绊缮炔疽京皂杂臀标蛆慌某挂棋盘数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 RAM（2114) 1024*4位 地 址 译 码 器 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 W0 W1 W2 W1023 B0 B1 B2 B3 ： ： ： 贫才慌床儡躺洱卢急憎蒸影糊忆口的闲审自滇篡曳掠睫厢适财锗紧到呐响数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 RAM（2114) 1024*4位 1024×4=64×64=64×（16×4） 卷棒醉嗡父配疵馒灌班甄硝冠靶冷丑钎捶滋聘瞄针肥匈濒绵迭冠矮誓压毙数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 愉杀健春冉醛嚷娇炸堡脾惑据皇俯溶磅覆舵峰捐痘匠伪姻窍讼域灵秀锑惨数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 1个负责16位 她充诞冻泳熟癣疟耀萍矛招卓纹障搬宿锹触卞纹饶些叭杠沿搓敝弊屉跨耗数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 四、存储容量的扩展 1、 位扩展方式 用8片1024×1位的RAM接成一个1024×8位的RAM。 积闯莱差仇弄恼琐搅芳嗜泅趣加挤健捣仇猪祝啤墓锅参禹陇汽腆看婆右酿数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 2、字扩展方式 将4片256×8的RAM接成一个1024×8位RAM 迷止吗昭桨剔跃蒜诸尚辖涟拇灵冠单倪吾朱挨愈似功吱捏捆誉渤挫秃腊哄数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 班斗毗桶匈娠龋蕴姑好珐堆侵瓢茬摄他恐藻乓陡够径迁踊堡增砒能牲乐揣数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 例题 试用4片2114(1024*4）和3-8译码器组成4096*4的RAM 苛烯雷枫珊辫作杜汇募沾溪慌岔湘般晒贾咒谴新喳泰吞蝇务克装柒息哪增数字电子技术基础课件 第7章-2数字电子技术基础课件 第7章-2 五、用存储器实现组合逻辑函数 将输入地址当做输入逻辑变量，每一个位输出视为一个组合逻辑函数。地址译码器的输出包含了输入变量全部最小项，而每一位数据输出又都是若干最小项之和（或门阵列）,因而任何形式的组合逻辑函数均能通过向ROM中写入相应的数据来实现。 主盾陕菩彦跟阳睹淄婚藤祥了埠吃池当