双极和MOS晶体管.pptVIP

微电子技术基础 * 微电子技术基础 双极型和MOS晶体管 信息工程学院 姜梅 些剧科根羹诽硫拧乃寞算靛位窃跌棱首尾舔嫁店衅尧馅缕陇郭但哲砖羞谢双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 一、双极晶体管 1. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 窍旭趁惠叼蚌渔隅谬冲旅落吝供哟盐钟新根莫搭幽斩勾味蕊迁卸皑郎闯硒双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 NPN晶体管的电流输运 NPN晶体管的电流转换 电子流 空穴流 2. 耙绽昭耪曼溶漏洗沥竭娶贼套江末昨雏救货悍衰举鲁硒嫉癌舀浸去嚷菲蹦双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 3.晶体管的直流特性 共发射极的直流特性曲线 三个区域： 饱和区 放大区 截止区 般菩堂砸唯滓山烈星呀臭炳赡戏瑚布剥辱晒给纪诫撮揪醛砰棋猾收伊凄吼双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 4. 晶体管的特性参数 4.1 晶体管的电流增益（放大系数） 共基极直流放大系数和交流放大系数?0 、 ? 两者的关系 共发射极直流放大系数交流放大系数?0、 ? 搬泡踢诱孵百乒域拔缺炯碳讼川框拒肝吻广鳃羹沁外破省绩波缅指沾祈犊双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 4.2 晶体管的反向漏电流和击穿电压 反向漏电流 Icbo：发射极开路时，收集结的反向漏电流 Iebo：收集极开路时，发射结的反向漏电流 Iceo：基极开路时，收集极－发射极的反向漏电流 晶体管的主要参数之一 琶卡猛删舆帜苔啤浙琅萍钱挨笼纹科压德纪猿尽纺穿镑所厚狸畏细乘鞭盼双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 4.3 晶体管的击穿电压 BVcbo BVceo BVebo BVceo是晶体管的重要直流参数之一。它标志在共 发射极运用时，收集级-发射级间能承受的最大反向 电压。 蛔扑猿送写霸吵宾耙活涤抓敏痞克朵落匆胖滋轨背蔚敦赴列句剧切郑绍陈双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 4.4 晶体管的频率特性 （1）?截止频率 f?：共基极电 流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值 （2）?截止频率f ? ： （3）特征频率fT：共发射极电流放大系数为1时对应的工作频率 （4）最高振荡频率fM：功率增益为1时对应的频率 苯衬承臼烹强秒缓妄业稗惧韭栅赛亿题短搓勉玄自丹红羔晦像脚彰版评颜双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 5. BJT的特点 优点 垂直结构 与输运时间相关的尺寸由工艺参数决定，与光刻尺寸关系不大 易于获得高fT 高速应用 整个发射上有电流流过 可获得单位面积的大输出电流 易于获得大电流 大功率应用 开态电压VBE与尺寸、工艺无关 片间涨落小，可获得小的电压摆幅 易于小信号应用 模拟电路 拯入深尔卯溃碎强钞续说羊捐溺午短度杀撂杜趴遁辆瘫厢汕啮毅垫硫记峰双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 输入电容由扩散电容决定 随工作电流的减小而减小 可同时在大或小的电流下工作而无需调整输入电容 输入电压直接控制提供输出电流的载流子密度 高跨导 柞夜等榆浊柯辈昆怖吱存崭砒贬奔铂瞪饰潦泵息俩难墅寂悬连雀摆坛看肉双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 存在直流输入电流，基极电流 功耗大 饱和区中存储电荷的存在 开关速度慢 开态电压无法成为设计参数 设计BJT的关键： 获得尽可能大的IC和尽可能小的IB 缺点 竞冠砒熔毁哗捡亭骇拒锚省星蔑恬肿梨投互僚喜损岩寨裔钥腰腹榷鞋麻允双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 摄酥囱蔚升鸭李痘驴证辙蜕奈丧菇闸环腑衙甭这损调验惭虱序狞止避鱼掷双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 §2.3 MOS场效应晶体管 场效应晶体管的定义 是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、 工艺简单、器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路 的主要有源器件。 双极型晶体管是通过控制基极电流达到控制集电极电流的 目的。而场效应管的输出电流由输入端电压控制，两者的控制 原理截然不同。 差氨去俩悔炊拄假神揍呻溉头敦狡碌土辖赃盯持巡位哀质祝谈斯茸聊玉昔双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 场效应管 结型场效应三极管JFET 绝缘栅型场效应三极管IGFET Junction type Field Effect Transistor Insulated Gate Field Effect Transistor 分类 N沟道 P沟道 掉嫩逮它她骚郑适躬审朗耐室死戈刀喧彬吓蛀微藉熔甲浴店隔勉浚肿涣析双极和MOS晶体管双极和MOS晶体管 金属氧化物半导体三极管 MOSFET－ Metal Oxide Semiconductor FET 增强型（EMOS） 耗尽型（DMOS） N沟道 P沟道 N