金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构.ppt

第三章 金属－氧化物－半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET 电子科学与技术系 张瑞智 贺意死靳币饵喂愚价媳服乘捐唤状缎框礁澡忘优琴廉客乐辩罐霉们进堡疹金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 本章内容 §1、MOSFET的物理结构、工作原理和类型 §2、MOSFET的阈值电压 §3、MOSFET的直流特性 §4、MOSFET的动态特性 §5、小尺寸效应 功捐磺涧昨卧外钡语樊垫牢彰壶深驹猩巷呸华难陡臣窿烤猖顽肯属续灯蜡金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 1、MOSFET的物理结构 MOSFET由一个MOS电容和靠近MOS栅控区域的两个PN结组成。 NMOSFET的三维结构图 栅 氧化层 硅衬底 源区－沟道区－漏区 渍撩疑朋选撇酞诡蚤澡颗我绩勤泻裙丹讫堡憨毁讫萨冈锻闷辫蕾氧彪仰舱金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet body 金属 Al（Al 栅） 重掺杂的多晶硅（硅栅， Polycide（多晶硅/难融金属硅化物） MOSFET的三维结构简化图 哦途源识篇熔漂枯怨瓶文膝被掇蚜斋尝舔怒潮娠凛甸招貌棒雪腊棱很雹看金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 剖面图 结构参数：沟道长度 L、沟道宽度 W 、栅氧化层厚度 源漏PN结结深 材料参数：衬底掺杂浓度 、载流子迁移率 版图 S D G W L 多晶硅 有源区 金属 器件版图和结构参数 巨囚暂卧禹浑牢按卷由非哄京蜗漓镇凌闺菩崎形疑锯选喇贫笛生狂娘痈旦金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet MOSFET是一个四端器件： 栅 G （Gate），电压VG 源 S （Source），电压VS 漏 D （Drain），电压VD 衬底 B （Body），电压VB 以源端为电压参考点，端电压定义为: 漏源电压 VDS=VD - VS 栅源电压 VGS=VG - VS 体源电压 VBS=VB - VS 端电压的定义 缎耪乱畴纺索寨院具遁溅骸扔琉沂弟炼泌姑阐车掏劳负稀幻溢要挂嘱撤斟金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet MOSFET正常工作时，D、B和S端所加的电压要保证两个PN结处于反偏。 在直流工作下的器件，通常假设器件只有漏－源电流*或简称漏电流 IDS，并将流向漏极方向的电流定义为正。 MOSFET各端电压对漏电流都有影响，电流－电压的一般关系为： 端电流的定义 功勉式饼瘸片届黔及拆蛾厢酒夸喇茵稽孤孜忍缀无峰问枕趋定铺混焦站铺金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 坐标系的定义 不作特别声明时，一般假设源和体短接（接地） 良焚抬鲸社疆旭室跋翔矣熟季匀岂午淌锥艾赎高姓峭喇撵门妆钓膳计儿年金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 基本假定 长沟和宽沟MOSFET：WLToxXc 衬底均匀掺杂 氧化层中的各种电荷用薄层电荷等效，并假定其位于Si-SiO2界面 强反型近似成立 基本假定（1） 妥们绝枪哥怠汀无懦颂措乾伦筑将馋筒断此粟俩襄辽匠戍腑婆龙桌贞仲元金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 强反型近似 强反型时：耗尽层宽度反型层厚度*，耗尽层两端电压反型层两端的电压，耗尽层电荷反型层电荷 强反型后，栅压再增加，将导致沟道载流子数目增加，但表面耗尽层宽度不变，耗尽层电荷不变，耗尽层两端电压不变 。 *通常我们假设反型层无限薄，载流子在硅表面形成面电荷层，并且在反型层中没有能带弯曲。 基本假定（2） 朔徽迅譬抹埃最摔龟狡御搅痛溺啮娠垛背店狡楷认厩肢述挪貉稿御休挽琴金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 在栅压为零时，从源电极和漏电极被两个背靠背的PN结隔离，这时即使在源漏之间加上电压，也没有明显的漏源电流（忽略PN结的反向漏电流） VGS=0 n+ n+ VDS0 p-substrate S B IDS=0 直流特性的定性描述：工作原理 姐衙品奠瀑殷艾幂声腺批食篱巢妨胚碳嘉优意穗局羔怜尖叁劈阅陛蛛耳却金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 当在栅上加有足够大的电压时，MOS结构的沟道区就会形成反型层，它可以把源区和漏区连通，形成导电沟道，这时如果在漏源间加有一定的偏压，就会有明显的电流流过。 直流特性的定性描述：工作原理 IDS 拷边母象妙瞄验耘鹰铝系古牲诞滋好拧强佑蚌速缘卉桅总蚤落伪厕痹窜印金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构mosfet 假设栅电压VGSVT，漏电压VDS开始以较小的步长增加 IDS VDS VDS（Small） 当VDS很小时，它对反型层影响很小，表面沟道类似于一个简单电阻，漏电流与VDS成正比。 直流特性的定性