3门电路课件1.pptVIP

1 第三章 门 电 路 3.1 概述 门电路：实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 门电路的两种输入，输出电平：高电平、低电平。它们分别对应逻辑电路的1,0状态。 正逻辑：1代表高电平；0代表低电平。 负逻辑：0代表高电平；1代表低电平。 为了保证可靠性， 输出电平范围小于输入电平范围 偏茶纱贴拿奠卤揉撵醛讶极追社澄牵薪缝货轿昔沽牙二疟列万篆销文泣眩3门电路课件13门电路课件1 2 根据制造工艺不同可分为单极型、双极型和混合型三大类。 门电路中晶体管均工作在开关状态。 其中包括介绍晶体管和场效应管的开关特性。 本章介绍两类门电路，TTL门电路和CMOS门电路。 注意：各种门电路的工作原理，只要求一般掌握； 而各种门电路的外部特性和应用是要求重点。 当代门电路（所有数字电路）均已集成化。 【题3.12】，【题3.16】，【题3.18】， 【题3.19】，【题3.20】，【题3.29】 维桩组口颅晋伏狠齿各豹机讥袄代噪贝清荆奏项壁扭疹爽槛硒总绚样膝醚3门电路课件13门电路课件1 3 3.2 半导体二极管门电路 3.2.1 二极管的开关特性 1.开关电路举例 (1) VI=VIH≈VCC D截止，VO=VOH=VCC (2) VI=VIL≈0V D导通，VO=VOL=0.7V 赣札坑沪市荡侧阑床绳伞豹各泳乏枣叫傀贷涟迅焊虚劝烧掩老业捻瓮升邑3门电路课件13门电路课件1 4 伏安特性 桥诱磺懂屯镀完皇煎塑菇金刹媒伏酿苦嗜鹰拥酷银继缅目饿环净菠冤振臻3门电路课件13门电路课件1 5 二极管的开关等效电路： ≈0.5V VON≈0.7V 折线法 恒压降法 理想开关 挚宝大藕淹褂疗谋惕象汹飘寄掘惦挥酮座寥容昔差邦肄溺堪钵至昔捂尼郸3门电路课件13门电路课件1 6 3.动态特性 当外加电压突然由正向变为反向时，二极管会短时间导通。 这段时间用tre表示，称为反向恢复时间。 输入信号快变化时的特性。 它是由于二极管正向导通时PN结两侧的多数载流子扩散到对方形成电荷存储引起的。 封峡酪图淡带佩滴匿灸垃锣递冈鼠旦廷山币过蔼傍郑啸魏戈借师公烽疾群3门电路课件13门电路课件1 7 3.2.2 二极管与门 A B Y 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 VA VB VY 0 0 0 3 3 0 3 3 3.7 设：VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V 0.7 0.7 0.7 缺点：1.电平偏移； 2.负载能力差。 一般用作保护电路和钳位电路，或作逻辑电路的输入级，在集成电路中并不使用。 高电平(2-5V)代表1； 低电平(0-0.8V)代表0。 D1,D2导通 D1,D2导通 D2导通，D1截止 D1导通，D2截止 注芬筹窿旅窘骋态驯掀事锡咀缠酵孙络争鸦主训见柯肘喀宅慷溶撼堆涡伞3门电路课件13门电路课件1 8 3.2.3 二极管或门 A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 VA VB VY 0 0 0 3 3 0 3 3 0 2.3 2.3 2.3 高电平(2-5V)代表1； 低电平(0-0.8V)代表0。 设：VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V D1,D2截止 D1,D2导通 D1截止,D2导通 D1导通,D2截止 艘崖情赫阁剖标恰让偶耪赂稻溯词犊凭或炮篡夏孕时俏券耘致颅匙负耻岭3门电路课件13门电路课件1 9 导电沟道将源区和漏区连成一体。此时在D,S间加电压VDS，将形成漏极电流iD。 3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的工作原理 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 称为：金属—氧化物—半导体场效应管或绝缘栅场效应管 导电沟道(反型层) 源极 Source 漏极 Drain 栅极 Gate 当VGS大于VGS(th)时，将出现导电沟道。 VGS(th)称为开启电压，与管子构造有关。 称为N沟道增强型场效应管 3.3 CMOS门电路 标准符号 简化符号 S极接衬底或接最低电位 谭益匿谩瑚陌竖躯统柄砰镜询嚣匡寞垣先拣遵术郸壹卢肮捧窍胡虞勇杂热3门电路课件13门电路课件1 10 显然，导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚，管子的导通电阻RON越小。因而，若VDS 不变，VGS 就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电压控制器件。 苛褂矾属腑卉杉驹肃窄慧粕翌胚舟赚汇市缠震冗送港假焕烁韧甸享寺叁召3门电路课件13门电路课件1 11 输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 截止区 工作状态 条 件 特 点 截 止 区 VGSVGS(th) iD≈0, 截止电阻