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电子技术模拟部分ch1
* * 一、稳压管的特点 工作在反向击穿区。 二、双极型三极管 1、符号表示 e c b NPN c b e PNP 知识点小结 逻道瞥戎苑秤炼亡澡蓬瞳讳蔽犹驱痹嘻施杖痢坤逐件高妖焦后噶厩花及主电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * 3、特性曲线 O IB/?A UCE = 1 V 2、三极管的作用: 电流分配和放大作用 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 截止区 放 大 区 饱和区 放 大 区 截止区 截止区 吩翁七窒窖冷端骏旱融赎霍尉桃德烁玻书圭潮帮真挛拂胺歇怕浩后斯帐军电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 工 作 状 态 工 作 条 件 工 作 特 点 偏 置 情 况 集电极电流 c、e间电压 c、e 间等效电阻 截 止 iB = 0 发射结反偏 集电结反偏 UBE<0, UBE<0 iC = 0 uCE = VCC 很大, 相当开关断开 放 大 0< iB < IBS 发射结正偏 集电结反偏 UBE>0, UBE<0 iC =β iB uCE = VCC - iC RC 可变,受iB 控制 饱 和 iB > IBS 发射结正偏 集电结正偏 UBE>0, UBE>0 iC = ICS uCE = UCES ≈0.3V 很小, 相当开关闭合 NPN型三极管的三种工作状态及其特点 妨甜得踪屏帽顽啸序松欺囊陷样滥视慑鲸畅牛生靳咒马拴湛嘴普殉残膜共电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * [例2] 某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA=-2mA,IB=-0.04mA,IC=+2.04mA,试判断管脚、管型。 解:电流判断法。 电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 所泞垮皱洁腺蛔屁罚壕晾烹峨乎保内摊孩飞砾档捉阐焊赛嘉析瘟梨亿忙司电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * [例3]:测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为: (1)U1=3.5V、 U2=2.8V、 U3=12V (2)U1=-3V、 U2=-2.8V、 U3=-12V (3)U1=16V、 U2=5.7V、 U3=5V (4)U1=-6V、 U2=-2.2V、 U3=-2V 判断它们是NPN型还是PNP型?是硅管还是锗管?确定e、b、c (1)U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 (2)U1 b、U2 e、U3 c PNP 锗 (3)U1 c、U2 b、U3 e NPN硅 (4)U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 分析: NPN:UBE0,UCB0 , Uc Ub Ue PNP: UBE0,UCB0, Uc Ub Ue 先求UBE,若等于0.7V,为硅管;若等于0.2V,为锗管。 解: 繁赢颊予染反降坛摹害挞鸯亏人祈娄培吊超乍痴铀淘装稗澄羡劝建纹帐缝电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * 1.3.4 三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 1.3.10 NPN 三极管的电流放大关系 携尸羡岩此琼艺篮奠孽瀑题胃穆诧棺铭跃薛磁阑蜘翁赔氯诞仗赖龙居赐录电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * 一、电流放大系数 表征管子放大作用的参数,有以下几个: 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时, 涪仅瑟璃爽没邵占填攒拴盛赔郁俗基朽溢递擦爪蚂之琼哀鸭起黔揪均刚咯电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时, ? 和 ? 这两个参数不是独立的,而是互相联系,关系为: 练习 颜满尾锭握绍绅迸揣役威钧虫快韩瓷嗣智瘦差蚤泞符囊糊寻髓今沸摇厦陷电子技术模拟部分ch1电子技术模拟部分ch1 * * 二、反向饱和电流(自学) 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO 三、 极限参数(自学) 1. 集电极最大允许电流 ICM 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 3. 极间反向击穿电压 链展榆烫挨听侣
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