3、铜掺杂纳米氧化锌薄膜的制备及光学特性.pdfVIP

第 30卷第 4期 苏 州 科 技 学 院 学 报 (自 然 科 学 版) V0I．30 No．4 2013年 12月 JournalofSuzhouUniversityofScienceandTechnology (NaturalScience) Dec．2013 铜掺杂纳米氧化锌薄膜的制备及光学特性 张 浩，王 鑫 ，董洁雯，邵雪峰 ，马锡英 (苏州科技学院 数理学院，江苏 苏州 215009) 摘 要 ：氧化锌 (ZnO)是一种新型稀磁半导体材料 ，有优 良的磁学及光学性质 ，透明度高，常温发光性能优异 。根据 半导体掺杂原理 ，以氧化锌为原料，过渡金属元素铜为掺杂元素，采用化学气相沉积法 (CVD)，制备了铜掺杂纳米氧 化锌薄膜 。利用 晶向显微镜观察 ZnO：Cu在衬底硅片上 的表面形貌和生长情况 ，利用光致发光谱和分光光度计分析 了样品的光发射和光吸收特性，研究了薄膜的伏安特性。发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安 特性都有很大的影响。随铜掺杂含量的增加，光吸收强度明显增大，光发射峰更加丰富。适当掺杂量的情况下．电流 明显增大，但掺杂量太大，会引入缺陷和晶界，反而会使漏 电流增大 。10％一20％掺杂量为比较理想的掺杂量 。 关键词 ：铜掺杂 的氧化锌 ；化学气相沉积法 ；吸收谱 ；光致发光 ；伏安特性 中图分类号 ：TB383；TN304．18 文献标识码 ：A 文章编号 ：1672—0687(2013)40—0039—40 ZnO是一种稳定 的氧化物 ，在零下几十摄 氏度或零上几百摄 氏度的温度范 围内稳定存在 。ZnO也是一 种非常重要的宽带半导体材料，其室温下禁带宽度为 3．37eV，激子束缚能为 6OmeV，易实现高效受激发 射，是制作量子效率高、激发阈值低的光电子器件的理想材料。另外，ZnO原料易得、廉价、无毒，制备方法简 单多样 ，且性能稳定 ，是 目前最具开发潜力的材料之一。从 20世纪9O年代开始 ，越来越多的研究人员对 ZnO掺杂稀土元素的光致辐射紫外光 、蓝光、绿光进行 了探索研究，使得 ZnO光致发光材料能广泛的应用到 紫外探测器、发光二极管、激光、表面声波器材、气体传感器、太阳能电池以及缓冲层等领域[1-3]。其中，ZnO：Cu 以自身 良好的导电性和透明性得到了广泛关注 。笔者利用化学气相沉积法合成了ZnO：Cu薄膜材料，研究 了不同合成条件 以及反应温度对 ZnO：Cu发光强度造成的影响，选择发光效果最好的ZnO：Cu光致发光材 料 ．从而能更好的有效利用ZnO：Cu材料 。 1 实验 取 2Og左右的ZnO粉末或混合粉末 ，放人玛瑙碗 中研磨，滴入 PVA胶(7％一8％)20滴 ，搅拌，再滴人等 量的PVA，继续搅拌，完成后放人烘箱，在 6O一70℃温度下烘烤 4—5min，取出。然后取 2小勺烘干后的ZnO 粉末或混合粉末放人模具 中，利用普通陶瓷压机 ，在约 5个压力下压成小园饼状 ，取出。放入陶瓷纤维高温 烧结炉中．在 600℃温度下烘烤 10h去胶 ，然后取出。实验采用 电阻率为 3—5Q ·cm、晶向(100)的n型硅 (Si)片 ，稀 HF酸浸泡 15rain去除 si表面的二氧化硅 ，再依次用丙酮、乙醇 、去离子水超声波清洗 ，去除硅片 上的有机物 。最后用氮气吹干 。 该实验利用化学气相沉积法 (CVD)制备 ZnO薄膜。该化学反应系统由四部分组成 ：石英管构成的反应 沉积室、真空抽气系统、气体质量流量计和温度控制系统。将准备好的衬底硅片放人石英管的中部，同时将 准备好的Zn0原料放入小铁盒中(铁盒面对衬底硅片的一侧凿有数个通气小孑L)，并将铁盒置于人气13处， [收稿 日期】2012-12-06 [基金项 目】国家 自然科学基金资助项 目；苏州市科技计划项 目(SYG201121) [作者简介]张 ~ (1990一)，男，江苏淮安人，研究方向：半导体材料。 通讯联系人 ：马锡英 (1965一)，女 ，教授 ，博士，E-mail：maxy@mail．usts．edu．cn。 苏州科技学院学报 (自然科学版) 2013虽 如图 1所示。