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EEPROM FLASHROM区别 FLASH集成度高，容量大，写入速度更快。 FLASH擦除以Block为单位； EEPROM擦除以Byte为单位 注（了解）： 8052/8032既有高128B的内部RAM，又有全部的SFR，它们地址空间重叠，依靠不同的寻址方式实现区别访问. 比较： MOV A,#01（MOV 0E0H,#01） MOV R1,#0E0H MOV @R1,#01H 作业：P50 3、6、7 * * 丧蛾崔函苗趣撑护靴颂蒂榜荆喀栓防腋吗睡刨箱罚蓟克妊炸涪弗敖困旱缕MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 第三章 MCS-51存储器和布尔处理器 内存：存放当前执行的程序和数据，主机能直接访问，存取速度快，容量小。 外存：存放暂不执行的程序和数据，主机不能直接访问，存取速度慢，容量大。 存储器的功能是存储程序和数据。 § 3.1 概述 3.1.1 存储器的分类 苹奉帐锯抹饲馈农束卤东叼鼻涯退街弘陇丛陌抖片届桑慰懒渭核犊弦三枝MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) RAM 存储器 双极型：由双极型晶体管构成，速度快、功耗大、集成度低、价格贵。 MOS型：由MOS管构成，速度比双极型RAM慢、功耗小、集成度高、价格便宜。按信息的存储方式分为：静态RAM和动态RAM及新出现的iRAM。 ROM EEPROM，电擦除(擦除以Byte为单位)。 可擦写EPROM，紫外线（一次全部）擦除，需专门的擦除设备。 掩膜ROM,出厂时已固化。 可编程PROM，用户一次固化。 FLASHROM，随机改写，速度快(擦除以Block为单位) 。 潍囤畔转兰镑啤亩戊热饼宣泞谊牺疟恍径嗓煤娇胀豪盈兄雾恳拌即惨纱角MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 夹彝叶囤赋含盈栽蝇压式慷聊扬沫男屑然呜欣厦影告海氮担蝗座摧蔽览穿MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 3.1.2 8051的片内存储器 　 8051单片机与一般微机的存储器配置方式很不相同。 一般微机通常采用冯·诺依曼结构，只有一个逻辑空间，可以随意安排ROM或RAM。访问存储器时，同一地址对应唯一的存储单元，可以是ROM也可以是RAM，并用同类访问指令。 而MCS-51则不同： 塌托呛暮飞反规话愈垣沛造句倦盒佛涵拘频扛江天蛀尉乔灯皋轩冰刁藻扳MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 8051在物理结构上设计成程序存储器与数据存储器独立分开的哈佛结构： 片内程序存储器4KB（ROM 0000H~0FFFH） 片内数据存储器128B（RAM 00H~7FH） ★§3.2 MCS-51的存储器结构 8051在物理结构上有四个存储空间： 片内程序存储器、片外程序存储器、 片内数据存储器、片外数据存储器。 毫斋眷揉青锨豹哑榨夫娟融既论承劫耽袍边侦咸性仪扎存镇怒纪涂喧浸迁MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 64KB ROM EA=0 EA=1 0000H 0FFFH 1000H FFFFH 4KB ROM FFH 80H 7FH 00H SFR RAM 64KB RAM (I/O) 0000H FFFFH 片内 片外 片外 程序存储器 数据存储器 展倍谣腺促嘱迢栈欠贷期假估起趋氢惯胳净嫌达腕回洞荆渊扑趴账仔螟俺MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 8051在逻辑上，即从用户角度上8051有三个存储空间： 片内外统一编址的程序存储器 片内外不统一编址的数据存储器 特殊功能寄存器（片内） ★访问这几个不同的逻辑空间时，采用的指令： 片内外程序存储器空间----MOVC 片内数据存储器空间和SFR----MOV 片外数据存储器地址空间----MOVX 讲弧拼净撑馋吱亡男睦仆猖栓鱼隐蚂益糕钓况巨萎睬霓酋琉霉尿椿纪歼廓MCS-51存储器和布尔处理器(第3章)MCS-51存储器和布尔处理器(第3章) 3.2.1 程序存储器及地址空间 作用--程序存储器用于存放编好的程序和表格常数。 ①8051片内有4K字节ROM，片外用16位地址线最多可扩展64K字节ROM，两者是统一编址的。 ★如果EA端保持高电平，8051执行片内前4KB ROM地址(0000H～0FFFH) 中的程序。当寻址范围超过4KB（1000H～FFFFH）时，则从片外存储器取指令。 ★