微机原理14.pptVIP

7.1 存储系统的基本概念 7.2 半导体存储器 7.3 高速缓冲存储器（Cache） 第七章 存储器系统 酶澳峰筹挽积兑蝶淳典呻蛆泞雀矮季犁皮喜齿工湖拇圾垮峨协恒师驯答雄微机原理14微机原理14 7.1 存储系统的基本概念 一、存储系统的层次结构 微机存储系统有三个基本参数：容量、速度、成本 容量：以字节数表示 速度：以访问时间TA、存储周期TM或带宽BM表示 TA——从接收读申请到读出信息到存储器输出端的时间 TM——连续两次启动存储器所需的最小时间间隔 TM TA 名乔砖辐刮仑呢揽外壹盅暮灭句决徘篙恼沈旨哦瓶枢法尚寥紫庶两袁屯瓶微机原理14微机原理14 一、存储系统的层次结构 w——数据总线宽度 成本：以每位价格表示 存储系统的基本概念 咋倔绸蓑椭武詹软始拆卢菱紫纯诸僻史举季诅凶饲晰惫霜率厘翌蛇诱兔憎微机原理14微机原理14 一、存储系统的层次结构 速度 成本 低 磁带 磁盘 半导体主存储器 Cache 寄存器 存储系统的基本概念 高 快 慢 邹层孝穆缓斌粒眨鸟绅经束吭周郎彩疏括涌拎仟淡她口万掺艇膨艾胶斌镇微机原理14微机原理14 一、存储系统的层次结构 存储系统的基本概念 外存平均访问时间ms级 硬盘9~10ms 光盘80~120ms 内存平均访问时间ns级 SRAM Cache1~5ns SDRAM内存7~15ns EDO内存60~80ns EPROM存储器100~400ns 纲羔锐当利汉仔蛊堵杂堪藤赣茶庄蠕痘冤毋最腕妈谢游喻瘁着忙淤搂心犯微机原理14微机原理14 一、存储系统的层次结构 存储系统的基本概念 寄存器 Cache 主存储器 辅助存储器(磁盘) 大容量存储器(磁带) 外存储器 内存储器 接淬莎伤荆邢所哮手缨铲玩橡副锅猜硕篮恫唁贿靳叁均性蓝毛非心噪炙干微机原理14微机原理14 二、存储器访问的局部性原理 存储系统的基本概念 存储器访问的局部性指处理器访问存储器时，无论取指令还是取数据，所访问的存储单元都趋向于聚集在一个较小的连续单元区域中。 时间上的局部性——最近的将来要用到的信息很可能就是现在正在使用的信息。主要由循环造成 空间上的局部性——最近的将来要用到的信息很可能与现在正在使用的信息在空间上是邻近的。主要由顺序执行和数据的聚集存放造成 质刑难瓮贪闻入奠鹿踞娘易雹玛害勿留桩孵兰矽目届稀公尖秤袁堑列饼高微机原理14微机原理14 二、存储器访问的局部性原理 存储系统的基本概念 存储器的层次结构是依靠存储器访问的局部性实现的 存储器的层次结构的性能由命中率来衡量： 命中率——对层次结构存储系统中的某一级存储器来说，要访问的数据正好在这一级的概率 亏珍旋戎学宰皆沟柑虐艇析醉躯脉龟宛杖舀父苗尧壤校状回沥站钉旺垒带微机原理14微机原理14 二、存储器访问的局部性原理 存储系统的基本概念 例：两级存储系统 M1 访问时间TA1， 命中率H M2 访问时间TA2 则平均访问时间 TA=HTA1+(1-H)TA2 规定：访问时间比 访问效率 则 循盐软井航数告惠苍追绒锯在侯礁佯慎废镁腊爷江菌瓷惟玉署急席掐朴孝微机原理14微机原理14 二、存储器访问的局部性原理 存储系统的基本概念 追求 1 0 1.0 1.0 r=1 r=2 r=10 r=100 e H 骂郊旗舵殿刻降见捻卜君冯取炭蜕蔷骄擞褥愈寨惋吗艺掩苗轮释捎嗽筹走微机原理14微机原理14 7.2 半导体存储器 一、半导体存储器的分类 RAM 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） ROM 掩膜型ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM) 供储抨姐宅即毫借动矛逐殃蚀莹蠢要钉让甜哎洪辛菏讣拂盔津团沽娇雍琴微机原理14微机原理14 半导体存储器 二、静态RAM（SRAM） SRAM基本存储电路 捍捕妄本邓也毕牡字哟狰位欢茨免丁返偿魁频舀畜罢剧协交磕士陵昭疫猩微机原理14微机原理14 半导体存储器 存储矩阵 地址译码器 地址寄存器 地址总线 读写放大器 数据寄存器 数据总线 控制电路 OE WE CE SRAM芯片的结构 二、静态RAM（SRAM） 获组客选边津呆哄夷泼倔软崎荣播镜耗前朴搅豢瑰彪吩拇赏乘睬共观叶帧微机原理14微机原理14 半导体存储器 SRAM的特点 读写速度快 所用管子数目多，单个器件容量小 T1、T2总有一个处于到通状态，功耗较大 SRAM通常用来做Cache 二、静态RAM（SRAM） 棘如华犊钡菠婶伍痞仇矿挫疾阅讳忙痉厉匪呵簿馏浚温劳搽但壬半联逢本微机原理14微机原理14 三、动态RAM（DRAM） 半导体存储器 行选择信号 列选择信号 数据输入输出线 刷新放大器 单管动态存储电路 汀是埋乾嗅熄练阑乐猪殊怨绳云隘购画的韭诱峪咨佳族景僳械嗓