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内 容 电子衍射花样 电子衍射原理 布拉格定律 倒易点阵 晶带定理和零层倒易截面 结构因子 偏离矢量与倒易点阵的扩展 电子衍射特点（XRD比较） ： λ很小约10-2－10-3nm；θ也很小(约10-2rad )； 样品薄，略微偏离布拉格条件的晶面也发生衍射； 衍射花样与晶体的位向有较好的对应性； 电子衍射时衍射束的强度高。 * * 电子衍射基础 衍射花样 单晶体 c-ZrO2 多晶体 Au Si3N4陶瓷中的非晶体晶间相 衍射花样的用途： 分析材料的结构 产生电子衍射的条件：满足布拉格方程 2dsinθ=λ 电子衍射的用途与特点 ？ 晶体结构和衍射花样的关系 倒易点阵和晶体结构的关系如何？ 倒易点阵 概念： 倒易点阵是与正点阵相对应的量纲为长度倒数的一个三维空间（倒易空间）点阵。 在空间中确立一点为倒易点阵的原点O*； 在正点阵中确定某一晶面f1的法向方向和晶面间距d1； 在倒易点阵上，从倒易点阵的原点O*出发画一条与正点阵的晶面法向方向平行的射线； 在射线上找一点Q*使得O*Q*等于1/ d1，Q*就是代表晶面f1的倒易点； 所有晶面的倒易点画在一个空间里构成倒易点阵。 倒易点阵的建立 倒易点阵建立的图示 1．倒易点阵中单位矢量 a*=(b×c)/V b*=(c×a)/V c*=(a×b)/V V = a ?(b×c) = b ?(c×a) = c ?(a×b) 2．倒易点阵的性质 正倒点阵异名基矢点乘为0，同名基矢点乘为1。 a* ? b = a* ? c = b* ? c =b* ?a = c* ? a =c* ? b=0 a* ? a = b* ? b = c* ? c=1 倒易矢量 倒易点阵中，由原点O*指向任意坐标（h，k，l）的矢量为倒易矢量。 ghkl=ha*+kb*+lc* 1.倒易矢量ghkl垂直于正点阵中相应的（h，k，l）晶面，或平行于它的法向Nhkl。 2.倒易点阵中的一个点（倒易矢量ghkl)代表的是正点阵中的一组晶面。 2．倒易点阵的性质 倒易矢量的长度等于正点阵中相应晶面间距的倒数。 ghkl=1/dhkl 正交点阵: 立方点阵: 晶面法向和同指数的晶向是平行的。即倒易矢量ghkl与相应指数的晶向[ h，k，l ]平行。 爱瓦尔德球图解法 入射束、衍射束和倒易矢量 爱瓦尔德球和布拉格方程 晶带定理与零层倒易截面 晶带 晶带轴 晶带定理 零层倒易截面 衍射花样和零层倒易截面 晶带轴的确定 各倒易阵点和晶带轴指数间必须满足晶带定理； 倒易阵不产生消光。 立方晶体[001]晶带的倒易平面 衍射斑点所对应的零层倒易点阵各阵点的特点 体心立方的零层倒易截面 结构因子——倒易点阵的权重 简单晶胞无消光问题 简单晶胞的衍射： 复合晶胞的衍射和消光 结构因子 （hkl）－ 衍射晶面 uvw － 衍射晶面上的 原子坐标 指数式: 三角式： 1.简单晶胞的结构因子 原子坐标（000） 消光条件讨论 不消光 F2 = f 2 2.低心立方晶胞的结构因子 原子坐标（000），（ ? ? 0） Fhkl = f e2πi(0)+ f e2πi(h/2+k/2) = f [1+ eπi(h+k)] h和k同性数时：F =2 f ，F2 = 4f 2 h和k异性数时：F =0 ，F2 = 0 3.体心立方晶胞的结构因子 原子坐标:（000），（ ? ? ? ） Fhkl = f e2πi(0)+ f e2πi(h/2+k/2+l/2) = f [1+ eπi(h+k+l)] (h+k+l)为偶数时：F =2 f ，F2 = 4f 2 (h+k+l)为奇数时：F =0 ，F2 = 0 3.面心立方晶胞的结构因子 原子坐标:（000），（0 ? ? ），（ ? 0 ? ），（ ? ? 0 ） Fhkl = f e2πi(0)+ f e2πi(k/2+l/2) + f e2πi(h/2+l/2) + f e2πi(h/2+k/2) = f [1+ eπi(k+l) + eπi(h+l) + eπi(h+k)] h，k，l为同性数时：F =4 f ，F2 = 16f 2 h，k，l为异性数时：F =0 ，F2 = 0 4.密排六方晶胞的消光条件 H＋k=3n，l＝奇数时：F =0 ，F2 = 0 把F＝0的点去掉，留下结构因子不等于0的点，这种倒易点阵与爱瓦尔德球相交的倒易点放大，就是衍射斑点。 正 点 阵 倒易点阵 体心立方 → 面心立方 面心立方 → 体心立方 五、偏离矢量与倒易点阵的扩展