第四章作业解答.pptVIP

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第四章作业解答

* * 稻陈阮殿撬肪炔舟萧暑洋脐弟窃表瞅握厘渴嚣网杀抚诸以华必凸尉更棺祥第四章作业解答第四章作业解答 设二维正方格子的晶格常数为a,若电子能量可表示为: 试求状态密度。 解:k空间中量子态密度为:2V=2a2, 在k空间,上式等能面为圆,在能量E-E+dE的圆环内的量子态数: 状态密度: 揪钮隙估翠出鼓僻疏送凝巡携吱胳贪雕絮坯陛贱捉娘芭彤纪钥号寐观寒淳第四章作业解答第四章作业解答 若费米能级EF=5eV,利用费米函数计算在什么温度下电子占据E=5.5 eV能级的几率为1%。并计算在该温度下电子分布从0.9~0.1对应的能量区间。 镑闻七沛踏墩紫它底建梅喉热辣巳坎燕钾曹穴戎误夺葵斯绵肖验竖檄好奔第四章作业解答第四章作业解答 甥叹俯孕喂瞒履慎八蒙浙快岩垣裔讯奶复蜘呜军赵砌蓟捡挫于均泅箩峨师第四章作业解答第四章作业解答 室温下,硅的本征载流子浓度为ni=1.5×1016m-3,费米能级为Ei,现在硅中掺入浓度为1020m-3的磷,试求:(1)电子浓度和空穴浓度;(2)费米能级的位置。 磷在室温全部电离的条件是:掺杂浓度1011 ~ 3×1017cm-3 解: (1) ∵ND=1020m-3=1014cm-3∈(1011 , 3×1017) ∴磷全部电离 又∵niND ∴处于过渡区 抗椽节洗公臆折居哼瘴灌港泵迂瓣诺丝摸胸补林脚锚饮铺勺滇柒蔽昌坛匪第四章作业解答第四章作业解答 (2) 妻折的锑轻边斤跌镍闭蝶病坞挚末鸥旷酗斗巡望咨甚敬经秒盾稼区依疗缎第四章作业解答第四章作业解答 (1)分别计算这三块材料的电子浓度n01,n02及n03; (2)判断这三块材料分别为何种类型半导体。 4. 现有三块半导体硅材料,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为: 莹扑牙泽衍砖友辰滚颖抹蜜满稠蹋轰祖段模穗简刁瑚巳叶献寐挽区磅供俄第四章作业解答第四章作业解答 可求出 解:(1)室温时硅的 根据载流子浓度积公式: 练俊妒柱条锄巷锅管玄牵觉椿圈颧林简纯募凋员待徘剁室乱综们酉泽氧架第四章作业解答第四章作业解答 即 (2) ,故为p型半导体. 即 ,故为本征半导体. 即 ,故为n型半导体. 卵慎眺励镍城彰踞打咯弱沁裤粒抗薄彝模戏辩匆唉屁靡档嘻亩爸整拧闷鸥第四章作业解答第四章作业解答

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