具有高温工作能力的1700VSPT+IGBT和二极管芯片组.docVIP

具有高温工作能力的1700V SPT+ IGBT和二极管芯片组 1700V SPT+IGBT and Diode Chip Set with High Temperature Operation Capability 吴立成，周东海 译 胡冬青 校 Translated by Wu Licheng, Zhou Donghai, Proofread by Hu Dongqing 摘要：本文介绍一种新研制的，具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计，改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT（SPT+）性能。通过局部质子寿命控制层的引入，150℃下二极管的漏电流已显著减小，同时保留了与先前SPT（软穿通）二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A 、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V 模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区（SOA）。高于175℃工作温度方向的拓展，将在以后介绍。 关键词：芯片组 高温 低损耗 高安全工作区 Abatract: This paper introduces a new 1700V SPT+IGBT and Diode Chip Set with High Temperature Operation Capability. Thanks to the introduction of new terminal concept and silicon design, the performance of the new-generation panar cascade by ABB company has been improved. By the introduction of partial proton duration control layer, the leakage current of diode under 150℃ has been lessened, while in the meantime, the elctric features of the previous SPT diode technological platform still remain. All the features make it possible for the research of 1700V module, which has a temperature rage of -40℃ and 150℃ and a rating of 3600A. The module will enjoy low loss and high SOA. The extension toward the function temperature high than 175℃ will be introduced in the future. Keywords: Chip set, High temperature, Loss Loss, High SOA ［中图分类号］TN86 ［文献标识码］ A 文章编号：1561-0349（2012）03- 1简介 过去几年，功率半导体的发展趋势，主要集中在对给定的应用提高功率密度。但当考虑到工作时的总功耗、安全工作区容限和允许的最大结温时，这种性能指标受到挑战。随着最先进的IGBT正慢慢接近损耗降低的极限，提高最大结温已成为当今功率器件开发的主要动力之一。由于热流跟温差成正比，如果半导体器件允许的结温更高，将为产生的热量提供更好的传导，进而增加给定器件面积的功率密度。 从2005年开始，平面SPT+技术已成功引入到从1.2kV到6.5kV不同的电压等级中[1][2]。本文将介绍一种改进了的1700VSPT+芯片组。其研发应用于额定值3.6kA/ 1700V HiPak2模块封装，且指定工作结温为Tj=150℃。SPT+技术可使导通损耗减小，加之它具有比25℃更高（可能是125℃，疑误—译者）的温度承受能力，故同当前典型的水冷应用的SPT一代相比，新型的1700V SPT+IGBT模块在频率从250Hz变化到1000Hz时逆变器输出电流增加了20％，如图1所示。 图1 逆变器输出电流随开关频率变化：1700V SPT与SPT+HiPak2对比 图中符号改为斜体 2 1700V SPT+高温芯片组技术 2.1 SPT+高温IGBT技术 同原始的平面IGBT元胞相比，SPT+技术的主要优点是在减小导通损耗的同时，保留了具有相同开关控制能力的SPT（软穿通）纵向设计。上述优点的实现，是通过在IGBT MOS单元的P－well周围引入一个N型增强层来实