微电子器件与电路实验实验四实验报告.docVIP

微电子器件与电路实验报告 姓名 学号 1415212003 合作人 实验时间 2016.11 实验成绩 教师签名 实验名称 实验四 MOSFET电学特性测试 实验设备 (1)计算机 (2)Multisim 12 实验目的 1.MOSFET IV 特性测试以及温度对IV特性的影响 2.MOSFET RDS(线性区)和GM(饱和区)随栅源电压变化特性曲线 3.MOSFET Kn（Kp）测试 4. MOS栅电容CV特性测试 实验内容 1. MOSFET IV特性测试(IV分析仪，DC扫描) 2.温度对MOSFET IV特性影响 3.RDS-VGS曲线测试，GM-VGS曲线测试 4.Kn(Kp)测试 5.MOSFET CV特性测试 实 验 报 告 要 求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形) 实 验 记 录： 实验4.1 MOSFET IV特性测试(IV分析仪) 使用IV分析仪对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析 实验4.2 MOSFET IV特性测试(DC分析) 使用DC扫描对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析 实验4.3 温度对MOSFET IV特性的影响 使用温度扫描分析