半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管.pptVIP

下载本文档

3
0
约小于1千字
约 3页
2017-03-05 发布于天津
举报
版权申诉

半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管.ppt

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管

半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管近年来，双极型晶体管采用重掺杂多晶硅作为发射极已成为一种主流趋势，如下图所示。采用多晶硅发射极工艺，可以提高晶体管的电流增益，减小管子上升和下降时延，改善其频率特性。请参看相关的书籍和文献。讨论重掺杂多晶硅双极型晶体管能带分布，少子分布，电流分布，增益，频率等特性以及不同参数对电学特性的影响。每组必须有自己的特色，有所侧重，不可雷同，如果有条件可以加入软件模拟数据。鼓励自由发挥，可以不拘泥于上述内容。讨论日期：11月2日讨论形式：2个人为一组，自由组合，其中一名同学主讲，另外同学可做补充，每人一次轮换。讨论会前两天各组把名单和准备的PPT发给我。每组20分钟，演讲结束后还有5分钟的提问时间，采用PPT演讲形式。全体学生名单（共18人），分为9组，每组2人。 12307130319 薛晓强彭小冉周文吉邱颖慧 14307130002 曹佳新 14307130018 胡瀛 14307130108 李春庆 14307130113 侯元钊 14307130119 陈垦 14307130147 严翔 14307130183 杨天文 14307130191 李怡杰 14307130213 雷良波 14307130240 杨涵 14307130260 谢金宇 14307130278 程绍宝 14307130354 李洁阳 14307130411 董晨洁