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半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学 微电子学院 第五章 半导体表面 5.1 半导体表面和表面能级 5.2 Si-SiO2系统中的表面态与表面处理 5.3 表面能带弯曲与反型 5.4 表面复合 5.1 半导体表面和表面能级 基本定义： 达姆指出晶体自由表面的存在使晶体的周期性势场在表面中断，从而引起附加能级，这种能级称为达姆表面能级。 在晶体表面不附着氧化层或其它任何分子的所谓理想表面情况下，对晶体表面求解薛定谔方程，结果表明电子被局限在表面附近，这种电子状态称作表面态，对应的能级称为表面能级，每个表面原子对应禁带中一个表面能级。 表面态的性质： 从晶体结构看，由于晶格在表面终止，表面上的每个硅原子都有一个称为悬挂键的未饱和键，对应的电子状态就是表面态，如图5.1和图5.2所示。 原子面密度为1015cm-2量级，悬挂键面密度(即表面态密度)也应该是1015cm-2量级。 理想表面并不存在。 受环境影响表面可能有物理吸附层或与之接触过的物质留下的痕迹，或是生成氧化物或其它化合物。 如果Si表面生长SiO2，表面大量悬挂键被氧原子饱和，表面态密度大为降低，实验测得的表面态密度常在1010~1012cm-2之间，比理论值低很多。 表面态的分类： 表面态能够与体内交换电子和空穴。 通常将空态时呈中性而电子占据后带负电的表面态称为受主型表面态；而将空态时带正电而被电子占据后呈中性的表面态称为施主型表面态。 根据表面态与体内交换电子所需时间不同又分为快态和慢态。快态与体内交换电子在毫秒或更短的时间内完成，慢态需要毫秒以上直至数小时或更长。 一般那些位于Si-SiO2界面上的电子状态为“快态”，当外界作用导致Si体内电子分布发生变化时，快态能与体内状态快速交换电子，表面态中的电子占据情况随之很快变化。 与此对应，半导体表面还有一种“慢态”，慢态处于厚度为零点几纳米到几纳米的Si表面天然氧化层外表面上，也就是处于氧化层-空气界面上，也可能来自Si-SiO2界面附近的缺陷或位于禁带中的杂质能级。慢态与体内交换电子时必须通过氧化层，因此就比较困难，时间可能很长。 5.2 Si-SiO2系统中的表面态与表面处理 一、Si-SiO2系统中的表面态 研究表明在Si-SiO2系统中存在着四种基本形式的电荷或 能态，如下图所示： (1) SiO2层中可动离子 可动离子包括Na+、K+、H+等。 由于Na+在一般环境气氛中广泛存在，可以来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污。 一般SiO2中Na+密度在1012cm-2以上。 可动离子在SiO2中的扩散系数和迁移率都很大，受电场和温度的作用能够在SiO2层中漂移，对器件性能影响显著，是一种重要的离子沾污来源。 (2) SiO2层中的固定表面电荷 由于在Si-SiO2界面附近存在过剩硅离子从而产生固定表面正电荷，它一般位于Si-SiO2界面20nm以内，并且不容易漂移。 固定电荷密度与氧化层厚度、杂质类型、杂质浓度、表面电势等因素无关，一般不能充放电，不能与Si交换电荷。 固定电荷密度与氧化工艺条件、退火条件以及Si单晶的晶向(晶面)有显著关系。 (3) Si-SiO2界面处的界面态 界面处Si晶格中断，使Si-SiO2界面Si禁带中存在许多准连续的表面电子能级。 Si-SiO2界面处的界面态可以迅速地从半导体导带和价带俘获载流子或向导带和价带激发载流子，是“快态”。 界面态分施主型和受主型两种。 (4) SiO2中的陷阱电荷 由于X射线、 γ射线或电子射线的辐射，在SiO2中激发产生自由电子和空穴，如果同时存在电场，除复合作用外，电子在SiO2中可以运动至SiO2外表面或由Si-SiO2界面向Si中移动，而空穴由于运动困难而被SiO2中原有陷阱俘获，从而在SiO2中留下正的空间电荷。 这种由辐射电离引起的电荷由退火工艺容易予以消除。 二、表面处理 (1) Si-SiO2界面处的界面态密度和Si的晶向(晶面)有关，一般(111)面的态密度比(110)面大，而(110)面的态密度又比(100)大，也就是说(100)面的界面态密度最小。 为减少界面态影响，在MOS器件和集成电路生产中常选用(100)晶面。 将Si-SiO2系统在氢或氢和氮的混合气体中进行400-450℃低温退火，使氢与Si形成稳定的H-Si键，可以有效减少界面态密度。 惰性保护气体下的高温退火也是降低界面态密度的有效手段。 SiO2层中的固定表面电荷与Si单晶的晶向(晶面)、氧 化工艺条件和退火工艺条件等因素有关。 在不同的Si晶面上采用相同的氧化工艺条件所制备的Si-SiO2系统，固定表面电荷密度也是按照(111)、(110)和