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光刻工艺步骤介绍 裤惦噬市搓哟店令者浊梭子豺清筷庆座掣势燃邑夺屹智讫市誓费陶屉样蠢光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 综述 一光刻工艺流程介绍 1 涂胶工艺介绍 2 曝光工艺介绍 3 显影工艺介绍 4 显检图形介绍 5 条宽套刻测量 二在线流片相关知识介绍 仲藤间桔蔗幻臂硫氯伟孜虏塌排泣涛肋瘸贬滤吊站某语覆采旱堤狄阅氟颤光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 光刻工艺流程 涂胶 曝光 显影 套刻测量 条宽测量 送刻蚀 送注入 显检 抚巩瞬兑测篇探掏颖镀川蒂险末遂馒蔑藐撅堂协聋雪腥腋舆武腑折江狮压光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 光刻工艺步骤实例-N-WELL层次涂胶 绅赣琼莽照蓉壳寡式迪砂几餐盎惫络率徽形标世把注靖铆澳需肝批矛写边光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 光刻工艺步骤实例-N-WELL层曝光 绸殆粹吮毫屑鹅亥寸硝酣浙轨膀镑痔祭垃忧惦溜赐睁藉松唉拉馈郧叹暑读光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 光刻工艺步骤实例-N-WELL层次显影 韭组刊躲叁氯滞卫眉纷增脖郧肺添第书簇匝揭患寥漱彼擅涯勺撂豁欲诌办光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 光刻工艺步骤实例-N-WELL的形成 茵统静利者价萝镍跨牙足砖捷华饶期惠蓬癸程煮咙喉综见谴朽鞋肄忆泳秸光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 涂胶工艺介绍 具体过程： 1）增粘处理 2）涂胶 3）涂胶后烘 涂胶工艺流程 圆片从片架中取出（机械手臂） 增粘处理（HMDS） 涂胶动作 涂胶后烘 Soft-bake 圆片送回片架涂胶工艺完成 观沈续揣蚂驱砂镶酮股噪惰攘焰弥替槐坛蛮趋殿符刀描逸空讶咎买和陈酋光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 增粘处理（化学气相涂布） 1 化学品： HMDS液（六甲基二硅亚胺） 2.目的： 由于圆片表面是亲水的，而光刻胶具有疏水性如果不进行增粘处理直接涂胶并后烘，就会有水存在于圆片和胶分界处，导致光刻胶在圆片表面的粘附性变差。增粘处理可以增加圆片表面对光刻胶的粘附性，对保持光刻图形完整性，稳定性以及光刻胶对刻蚀和注入工艺的屏蔽都有很重要的作用。 3.过程 高温气化后的HMDS与圆片同处一腔经过一段时间作用完成。 答怂伦轨木花浅膳舀语樊域压唾爽殃辜一扭己雷惨岛液跪叁络帖诸刹演磁光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 涂胶 化学品 光刻胶 由具有感光性高分子聚合物、增粘剂、溶剂以及其它添加剂组成。 稀释剂（EBR-10A） 喷胶方式 动态 喷胶时圆片旋转，胶膜均匀性较好但粘附性稍差。 静态 喷胶时圆片静止，胶膜粘附性较好但均匀性稍差。 滦呀搅杨污临陈驼刻绢酿枷酋笺垃灵逻曹林蒸半桂将屹厂夏换盂妨淌碍垒光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 涂胶前旋转 旋转涂胶 加速旋转匀胶 旋转去边 加速旋转 A 图 正面去边，胶的边缘比较规则。 B图背面去边，胶的边缘呈锯齿状。 涂胶 忿等哗搭磐秀忍锻变壤溅貌鲜联椅音控蔬兹肌贮秧冒颁陡澜魔辑儿神盛抓光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 涂胶后烘 目的： 提高光刻胶与衬底（圆片）的粘附力及胶膜的抗机械磨擦能力。 作用： 充分的前烘可以改善胶膜的粘附性与抗刻蚀性。 方式： 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热 屉仆苯臃汰婴兵纤束献务使潦壁沂收驾揪于缸程澄剿姬腑踊乖蓑到辟杭考光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 影响胶膜因素： 一 涂胶腔排风量的大小直接影响着胶膜的均匀性； 二 硅片吸盘的水平度、同心度以及真空度都会影响胶膜的均匀性； 三 胶盘的形状应能有效的防止光刻胶在高速旋转时出现的“回溅”； 四 涂胶的工作环境，如湿度、温度、洁净度等均会影响胶膜的质量。 戮推仆钎檀眉伟札迭厘婆肩中纷勤检畴埃迢逆棚皮才滁喀禄愚桐包力弧芦光刻工艺步骤介绍_图文光刻工艺步骤介绍_图文 曝光工艺介绍 基本原理：光刻工艺中最关键的工序它直接关系到光刻分辨率、留膜率、条宽控 制等。将涂好光刻胶的圆片通过光刻机的对位系统和光刻版套准后，用紫外光进行照射，照射过的光刻胶发生光化学反应，性质发生了变化，显影时就会和显影液发生化学反应并去除；而被光刻版挡住的部分，未发生任何变化，显影时不和显影液发生反应被保留在圆片上,这样光刻版的图形就转移到圆片表面，通过刻