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半导体物理与器件习题
第一章 固体晶格结构
1.如图是金刚石结构晶胞,若a 是其晶格常数,则其原子密度是 。
2.所有晶体都有的一类缺陷是:原子的热振动,另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。
3.半导体的电阻率为10-3~109Ωcm。
4.什么是晶体?晶体主要分几类?
5.什么是掺杂?常用的掺杂方法有哪些?
答:为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。常用的掺杂方法有扩散和离子注入。
6.什么是替位杂质?什么是填隙杂质?
7.什么是晶格?什么是原胞、晶胞?
第二章 量子力学初步
1.量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。
2.什么是概率密度函数?
3.描述原子中的电子的四个量子数是: 、 、 、 。
第三章 固体量子理论初步
1.能带的基本概念
能带(energy band)包括允带和禁带。
允带(allowed band):允许电子能量存在的能量范围。
禁带(forbidden band):不允许电子存在的能量范围。
允带又分为空带、满带、导带、价带。
空带(empty band):不被电子占据的允带。
满带(filled band):允带中的能量状态(能级)均被电子占据。
导带:有电子能够参与导电的能带,但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。价带:由价电子形成的能带,但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。
2.什么是漂移电流?
漂移电流:漂移是指电子在电场的作用下的定向运动,电子的定向运动所产生的电流。
3.什么是电子的有效质量?
晶格中运动的电子,在外力和内力作用下有:
F总=F外+F内=ma, m是粒子静止的质量。
F外=m*na, m*n称为电子的有效质量。
4.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶电子,其有效质量为负。
5.在室温T=300K,
Si的禁带宽度:Eg=1.12eV
Ge的禁带宽度:Eg=0.67eV
GaAs的禁带宽度:Eg=1.43eV
Eg具有负温度系数,即T越大,Eg越小;
Eg反应了,在相同温度下,Eg越大,电子跃迁到导带的能力越弱。
6.在热平衡状态下,晶体中的电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定 的,电子遵循费米统计律,电子的费米分布函数是:
费米能级EF和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量有关。处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。
因此,在温度不很高时,能量大于费米能级的量子态基本没有被电子占据,而能量小于费米能级的量子态基本上为电子所占据;而电子占据费米能级的几率在各种温度下总是1/2.
费米能级标志了电子填充能级的水平,比EF高的量子态,基本为空,而比EF底的量子态基本上全被电子所占满.这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线:
1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的;
2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的;
3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50%。
4)费米能级越高,说明有较多的能量较高的量子态上有电子.
7.什么是非简并半导体?什么是简并半导体?
通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体;
而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半导体。
8.什么是空穴,空穴是怎样形成的?
当一个价电子跃入导带后,就会留下一个带正电的“空状态”; 价电子在空状态中的移动等价为那些带正电的空状态的自身运动;带正电的空状态移动可以看成一个正电荷在价带中运动;这种可以形成电流的正电荷载流子———空穴。
9.什么是直接带隙半导体?什么是间接带隙半导体?
10.锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。
A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型
11.在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3,则该半导体为( B )半导体。
A.本征 B.n型 C.p型 D.不确定
12.当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B )。
A.变化量 B.常数 C.受主杂质浓度 D.施主杂质类型
13.在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得( C )靠近中间能级Ei。
A.Ec B.Ev C.EF D.Ec-EF
第四章 平衡半导体
(本章重点学习本征半导本、费米能级、载流子的分布等相半概念结论。)
1.什么是本征半导体?
答:征半导体是指纯净的没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。
2.本征半导体是指( A )的半导体。
A. 不含杂质和晶格缺陷 B.
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