第四章非平衡载流子.ppt

第四章 非平衡载流子 §1 非平衡载流子的注入与复合 §2 准费米能级 §3 复合理论概要 §4 载流子的扩散和漂移 §5 连续性方程 §1 非平衡载流子的注入与复合 (1)??? 非平衡载流子 (2)??? 非平衡载流子的注入与复合 (3) 非平衡载流子的寿命 ★非平衡载流子 非平衡态：当半导体受到外界作用(如：光照、偏置电压等)后, 载流子分布将与平衡态相偏离, 此时的半导体状态称为非平衡态。 非平衡载流子(过剩载流子) – 比平衡状态多出来的这部分载流子: △n,△p n= n0+△n, p= p0+△p ★ 非平衡载流子的注入与复合 ①引入非平衡载流子(过剩载流子)的过程--非平衡载流子的注入(injection) 最常用的注入方式:光注入,电注入.高能粒子辐照 光注入: △n=△p 平衡态与非平衡态间的转换过程： 热平衡态: 产生率等于复合率,△n =0; 外界作用: 非平衡态,产生率大于复合率,△n 增大; 稳定后: 稳定的非平衡态,产生率等于复合率,△n 不变; 撤销外界作用: 非平衡态,复合率大于产生率,△n 减小; 稳定后: 初始的热平衡态(△n =0)。 ②非平衡载流子的复合: --当外界因素撤除,非平衡载流子逐渐消失,(电子-空穴复合),体系由非平衡态回到平衡态. 热平衡是动态平衡. 当存在外界因素,产生非平衡载流子,热平衡被破坏. 稳态—当外界因素保持恒定,非平衡载流子的数目宏观上保持不变. ★非平衡载流子的寿命 指数衰减律: ①寿命τ — 非平衡子的平均存在时间. ? 复合几率P=1/τ — 一个非平衡子,在单位时间内发生复合的次数. ②复合率Δp/τ —单位时间内复合掉的非平衡子浓度 ? 当有外界因素对应空穴产生率Gp,则有: §2 准费米能级 (1)??? 热平衡电子系统的费米能级 (2) ??准费米能级的引入 (Quasi-Fermi Level ) ★ 热平衡电子系统的费米能级 热平衡电子系统有统一的费米能级 费米能级：费米分布函数来描述是用来描述平衡状态下的电子按能级的分布的。也即只有平衡状态下才可能有“费米能级” ★ 准费米能级的引入 金属中电子的分布：稳定时用费米分布，但若有外界因素（如光照）引起电子激发，电子分布不再满足费米分布。 准平衡态:非平衡态体系中,通过载流子与晶格的相互作用,导带电子子系和价带空穴子系分别很快与晶格达到平衡. --可以认为:一个能带内实现热平衡. ?导带和价带之间并不平衡(电子和空穴的数值均偏离平衡值) ②准费米能级EF- , EF+—用以替代EF ,描述导带电子子系和价带空穴子系 §3 复合理论概要 (1)??? 复合机制 (2)??? 直接复合 (3)??? 间接复合 (4) 表面复合 (5) Auger复合 ★ 复合机制 复合过程: 直接复合—导带电子直接跃迁到价带 间接复合--导带电子跃迁到价带之前,要经历某一(或某些)中间状态. ?这些中间状态是禁带中的一些能级—复合中心.复合中心可以位于体内,也可以与表面有关. 三种释放能量的方式: 发射光子 (以光子的形式释放能量) —辐射复合(光跃迁) 发射声子(将多余的能量传给晶格) —无辐射复合(热跃迁) Auger复合(将多余的能量给予第三者) --无辐射复合(三粒子过程) ★ 直接复合(直接辐射复合) ①复合率(单位时间,单位体积内复合掉的电子-空穴对数): R=γnp, γ-直接复合系数 R- 1/(cm3 · S), γ-(cm3/S) ?对非简并半导体, γ=γ(T) ?这里的”复合”,不是净复合. ②产生率(单位时间,单位体积内产生的电子-空穴对数): G’= γni2 ?这里的”产生”,与外界因素无关. ③净复合率: Ud= - d△p(t)/dt = △p/τ Ud=R-G’= γ(np-ni2) ④寿命: ?小注入条件下: ★ 间接复合 ——— 非平衡子通过复合中心的复合 ① 四个基本跃迁过程： A. 电子俘获 复合中心能级从导带俘获一个电子； B. 电子产生 复合中心能级上的电子被激发到导带；（A的逆过程）