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集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 20010年3月 第八章 光刻与刻蚀工艺 IC制造中最重要的工艺：①决定着芯片的最小特征尺寸②占芯片制造时间的40-50%③占制造成本的30% 光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转 移到光刻胶上。 刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素：①光刻机②光刻版（掩膜版）③光刻胶 ULSI对光刻的要求： 高分辨率；高灵敏的光刻胶； 低缺陷；精密的套刻对准； 第八章 光刻与刻蚀工艺 掩模版 掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝（90％）15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 掩膜版尺寸：①接触式和接近式曝光机：1∶1 ②分步重复投影光刻机（Stepper）： 4∶1；5∶1；10∶1 Clean Room 洁净等级：尘埃数/m3； （尘埃尺寸为0.5μm） 10万级：≤350万，单晶制备； 1万级：≤35万，封装、测试； 1000级：≤35000，扩散、CVD； 100级：≤3500，光刻、制版； 深亚微米器件（尘埃尺寸为0.1μm） 10级：≤350，光刻、制版； 1级：≤ 35，光刻、制版； 8.1 光刻工艺流程 主要步骤：曝光、显影、刻蚀 8.1 光刻工艺流程 8.1.1 涂胶 1.涂胶前的Si片处理 --例如SiO2光刻 SiO2:亲水性；光刻胶：疏水性； ①脱水烘焙:去除水分 ②HMDS底膜：增强附着力 HMDS：六甲基乙硅氮烷，(CH3)6Si2NH 作用：去掉SiO2表面的-OH 8.1 光刻工艺流程 2.涂胶Spin Coating ①对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当 胶膜太薄－针孔多，抗蚀性差； 胶膜太厚－分辨率低（分辨率是膜厚的5－8倍） ②涂胶方法：浸涂，喷涂，旋涂√ Photoresist Spin Coater 8.1 光刻工艺流程 8.1.2 前烘Soft Bake ①作用：促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥； 增加胶膜与SiO2 （Al膜等）的粘附性及耐磨性。 ②影响因素：温度，时间。 烘焙不足（温度太低或时间太短）－显影时易浮胶， 图形易变形。 烘焙时间过长－增感剂挥发，导致曝光时间增长， 甚至显不出图形。 烘焙温度过高－感光剂反应（胶膜硬化）， 不易溶于显影液，导致显影不干净。 8.1 光刻工艺流程 8.1.3 曝光Exposure 光学曝光、X射线曝光、电子束曝光 ①光学曝光－紫外，深紫外 ⅰ）光源： 高压汞灯：紫外(UV），300－450nm； i线365nm，h线405nm，g线436nm。 准分子激光：深紫外(DUV），180nm～330nm。 KrF：λ= 248nm； ArF：λ= 193nm； F2激光器： λ= 157nm。 8.1 光刻工艺流程 8.1 光刻工艺流程 ⅱ）曝光方式（曝光机） a.接触式：硅片与光刻版紧密接触。 b.接近式：硅片与光刻版保持5-50μm间距。 c.投影式：利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上 8.1 光刻工艺流程 ②电子束曝光：λ＝几十---100?； 优点： 分辨率高； 不需光刻版（直写式）； 缺点：产量低（适于制备光刻版）； ③X射线曝光：λ＝2---40? ，软X射线； X射线曝光的特点：分辨率高，产量大。 ④极短紫外光（EUV）： λ＝10—14nm； 8.1 光刻工艺流程 8.1.4 显影Development ①作用：将未感光的负胶或感光的正胶溶解去除， 显现出所需的图形。 ②显影液：专用 正胶显影液：含水的碱性显影液，如KOH、 TMAH (四甲基氢氧化胺水溶液)，等。 负胶