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第三章 存储器(P89) §3.1 存储器概述 §3.1 存储器概述 对存储器最基本的要求:容量大、速度快、价格低。 主存储器,又叫内存,属于主机范畴。 存放当前CPU需要执行的程序和需要处理的数据。 特点:(1)随机访问,(2)工作速度快,(3)具有一定的存储容量。 外存储器,又叫辅助存储器,存放暂不使用的程序与数据。 特点(1)工作速度较慢,(2)容量很大,如磁盘、磁带等。 高速缓冲器Cache,存放的是最近就要使用的程序与数据,是主存中当前活跃信息的副本。 特点:(1)工作速度最快,(2)容量最少,只有几百K字节。 3.1.2 物理存储器与虚拟存储器 一、真正在物理上存在的主存储器,称为物理存储器,简称为实存。访问主存的真实地址称为物理地址或实地址。现在大多数计算机配几百兆主存。 二、为解决主存容量有限提出了虚拟存储器,即在软件编程上可使用的存储器,称为虚拟存储器。 面向虚拟存储器的编程地址称为虚拟地址或逻辑地址。通过操作系统把外存的一部分也当成主存。 〔例〕32位地址线的计算机: 232=220×210×22=4千兆=4G 但现在实际配的主存假设为512兆,即 512兆=220×29 所以,32 位地址线寻址的是逻辑地址,29位地址线寻址的是物理地址。 3.1.3 存储器的分类 一、根据存储介质来分 1. 半导体存储器: 二、按存取方式来分: 随机存储器RAM,Radom Access Memory ※ 可按地址随机地访问任一单元, ※ 访问各存储单元所需的读/写时间相同,与地址无关。 只读存储器ROM,Read-Only Memory 半导体集成电路,ROM,PROM, EPROM,E2PROM。 顺序存储器(SAM) 访问时间与信息存放位置有关,如磁带等。 直接存取存储器(DAM) 如磁盘,工作方式介于随机存储器与顺序存储器之间。 3.1.4 主存储器的技术指标 3.存储周期TM §3.2 半导体存储原理及芯片 1.静态MOS存储位 (1)写入 (2)读出 2. 静态MOS存储芯片举例 2114是一种曾广泛使用的小容量SRAM芯片,容量为1K×4位,现举例说明。 (2)芯片引脚 (3)静态RAM读写操作时序 写周期: 3.2.2 动态MOS存储位与芯片 “恢复”与“刷新”操作由灵敏恢复/读出放大器完成。 2. DRAM结构 §3.3 主存储器容量的扩展 〔例2〕用1K×4的SRAM存储芯片构造1K×8的存储器。 2. 字扩展 3. 字位扩展 〔例5〕用16M×4位的存储器芯片,组成64M×8位的存储器空间系统。问(1)组成64M×8位的存储器需要多少根地址线?(2)已有16M×4位芯片有多少根地址线?(3)共用多少片16M×4位芯片,能组成64M×8位存储器?(4)画连线图。 解:(1)需要26根地址线。 (2)有24根地址线 (3)共用8片。 (4)连线图如下图所示。 §3.4 高速缓冲存储器 一、地址映像 将主存与 Cache的存储空间划分为若干大小相同的块。 〔例1〕设一个Cache中有8个块,访问主存进行连续读操作的块地址序列为1110110、1111010、1110110、1111010、1110000、1100100、1110000、1110010。求每次访问主存后Cache块表的变换情况,设初始Cache为空。 〔例2〕:设有一个Cache的容量为8K字,每个块为32字,求 1. 该Cache可容纳多少个块? 2. 如果主存的容量是128K字,则有多少个块? 3. 主存的地址有多少位?Cache地址有多少位? 4. 进行直接映象时,存储器的地址分成哪几段?各段分别有多少位? 解: 1. Cache的容量8K字,每块为32字,则Cache中有 23×210/25=28=256块。 2. 主存中有27×210/25=212=4096块。 3. 主存地址按字计算有17位,Cache地址有13位。 4. 存储器的地址分成三段:区号、块号、块内字地址。区号的长度为主存地址长度与Cache地址长度之差,即17—13=4位,这4位作为区号放在块表中(调入时)。块号的长度为Cache的块个数,需用8位表示。块内字地址长度为5位,因为块大小为32字。 2. 全相联映像--内存中的每一块可以映像到 Cache中
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