双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜.ppt

二、实验方法 * 双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜 金成刚 吴雪梅 诸葛兰剑 苏州大学物理科学与技术学院 江苏省薄膜材料重点实验室 2007年8月 成都 ¤ 研究背景 ¤ 实验方法 ¤ 结果与分析 ¤ 结 论 主要内容 一、研究背景 ： SiC作为一种优秀的微电子材料，以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点，在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。工艺上又可以与集成电路兼容，被期待作为新型的光电材料应用于大规模光电集成电路(OEIC)，因而日益成为关注焦点。 SiC虽是间接带隙半导体，但目前人们研制的具有纳米结构的SiC材料已能有效发射蓝光。目前SiC体单晶的生产已日趋完善。但氮化镓材料发光效率极高，SiC材料发光效率却相对较低。如何提高SiC材料的发光效率现成为国际上的一个非常热门的话题的研究领域。 SiC材料是我们课题组的主要研究内容 ☆ 化学气相沉积（CVD） ☆ 分子束外延 (MBE) ☆ 磁控溅射 ☆ 脉冲激光淀积(PLD) ☆ 离子注入 目前制备SiC薄膜选用的主要方法 ：采用双离子束溅射的方法分别制备了无辅源离子轰击SiC薄膜、能量为150eV的辅源离子轰击SiC薄膜，通过SEM、XRD、Raman、透射谱等手段测试分析了薄膜的表面形貌、结构、光学性质等。 图1 双离子束溅射沉积（DISBD）装置示意图 ¤ 采用双离子束溅射装置沉积薄膜 ¤ 工作气体为Ar ¤ 本底气压为5×10-4Pa ¤ 沉积气压为2×10-2Pa ¤ 主源离子能量为800eV 束流为40mA ¤ 辅源离子能量为150eV 束流为10mA 三、结果和分析 1. SiC薄膜表面SEM分析 （a） (b) 图2 （a）无辅源轰击的表面SEM图，（b）能量为150eV辅源轰击的表面SEM图 随着辅源离子的轰击薄膜中团簇的尺寸变大 图3 （c）无辅源轰击的截面SEM图，（d）能量为150eV辅源轰击的截面SEM图 A B C (c) (d) 无辅源轰击的膜比较平滑，而薄膜与Si衬底间的接触面比较光滑，没有空洞，但是其中有很多裂纹如图3（c）A区域。 150eV离子束轰击之后的膜变得粗糙，致密。如图3（d）B区域，薄膜与Si衬底有一个比较明显的过渡层，而且有空洞出现如C区域，但是并没有发现裂纹。 低能离子束轰击提高吸附原子的迁移率，使得薄膜更加致密，表面粗糙。同时离子束的轰击能够增大团簇的尺寸，提高薄膜与衬底间的附着力，释放薄膜与衬底间的内应力。 2. SiC薄膜结构的FTIR分析 红外光谱是研究红外光通过样品被吸收的情况,红外光谱最适宜于研究不同原子的极性键(如C=O,O-H,C-H,N-H)的振动。 图4 （a）无辅源轰击的红外透射光谱，（b）能量为150eV辅源轰击的红外透射光谱。 离子束轰击后，位于800cm-1的Si-C键的吸收峰变得尖锐，这说明离子束轰击促进了Si-C键的形成。 3. SiC薄膜结构的Raman分析 Raman光谱是研究在垂直或其他方向上对单色光的散射,与红外光谱是互相补充的。 Raman光谱则适宜于研究同原子的极性键(如C=C,S=S,N=N)的振动。本实验就用其来测量我们所得薄膜中的C=C和Si-Si键。 图4 （a）无辅源轰击的Raman光谱，（b）能量为150eV辅源轰击的Raman光谱。