电子束蒸镀机原理与技术资料.doc

E-Gun原理與技術資料 一 原理: 在早期的IC製程中，只有鋁被採用在金屬薄膜製程中，用加熱的方式用來沉積鋁金屬薄膜的方式也被廣泛的使用。電子束蒸鍍系統的開發就是為了要沉積高純度的鋁與其他金屬。 (一) 　　Thermal Evaporation 鋁的熔點很低，大約是攝氏660度左右與其沸點為攝氏2519鍍都相當的低，所以在低壓下就很容易將鋁氣態化。早期用熱蒸鍍的方式來沉積鋁金屬膜用以形成閘極和連線之金屬層。如圖(一)。 　　　　圖一 (二) 電子束蒸鍍 (E-Gun Evaporation) 相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方法有其下列的優點。 1.可聚焦的電子束，能局部加溫元素源，因不加熱其他部分而避免污染。 2. 高能量電子束能使高熔點元素(附錄一)達到足夠高溫以產生適量的蒸氣壓。 　圖（二）為蒸鍍機的坩鍋,圖（三）為整個E-GUN的結構示意圖。 　　　　　　　　　　　　　　　　圖(二) 圖(三) 圖（四） 圖（四）為電子束電位與坩鍋示意圖，一組可變直流電源供應給燈絲，當燈絲啟動後，在真空下的游離熱電子便因為電場的吸引而加速的射出來，如圖（四）中加速的電場為10KVDC，我們只要改變加速電場的大小就可以改變電子束射擊到坩鍋的位置,假設與電子束平行的位置為X軸方向，如果與交插電子束的位置加裝一組磁場,我們便能控制電子束左右的方向,以此我們稱為Y軸。 以電場和磁場的控制，我們便能控制電子束掃描的區域及面積的大小。 當遇到金屬其熔點很高的時後,便要使用小CC數的襯鍋,以幫助熱度的集中 當遇到金屬其熔點很高的時後，便要加長其坩鍋預熱的時間與電流。 每次使用坩鍋時請把坩鍋裝9分滿。 為防止坩鍋與蒸鍍材化合的問題，請再加入新的蒸鍍材之前先查明用何種 鍋較為適當與合用。 當蒸鍍製程完成時請確定坩鍋上的金屬材料已經冷卻,並且看不到暗紅色的狀況下才可以做Venting chamber 的動作。 當反應室打開後，請勿用手指碰觸坩鍋，以免造成手指部位的燙傷。 二.膜厚機的原理 基本上膜厚機是使用crystal去量測蒸鍍時每秒的速率與控制E-GUN 電子束 Emission Current 的大小，以達到每秒所設定的蒸鍍速率。如圖(五)，在Crystal上下方加上一組5MHz的電源,其由膜厚機所提供，當下電極的部位沉積一些金屬層之後,由於壓電效應的原故，造成輸出信號的改變，利用其變化量去折算目前的鍍率。 圖(五) 附錄(一)各金屬之熔點 Ag Pellet Melting Point : 961.93 °C Au Pellet Melting Point : 1064.43 °C Pt Pellet Melting Point : 1763 °C Pd Pellet Melting Point : 1552 °C Al Pellet Melting Point : 660.37 °C Ti Pellet Melting Point : 1650-1670 °C Ni Pellet Melting Point : 1455 °C Co Pellet Melting Point : 1493 °C Ta Pellet Melting Point : 2996 °C Cr Pellet Melting Point : 1860 °C W Pellet Melting Point : 3370 °C Mo Pellet Melting Point : 2617 °C NiCr(80/20) Slug Melting Point : 1435 °C Zn Pellet Melting Point : 419.58 °C In Pellet Melting Point : 156.61 °C Sn Pellet Melting Point : 231.98 °C ITO(90/10) Slug Melting Point : 1900 °C 附錄(二)個種金屬電阻率 長度1（米）、截面積a （米2）的均勻物質的電阻為：R=ρl/a(Ω)，式中，ρ是物質的電阻率*，單位：歐姆米（Ω. m)。 　　令0時的電阻率為ρo，100時的電阻率為ρ100，則0到100之間的平均溫度系數為 αo，100 =（ρ100—