电浆基础实验.doc

電漿基礎實驗 何主亮教授編撰 一、實驗目的 本實驗的目的在於親自動手體驗輝光放電電漿的產生過程,並透過實驗觀察與記錄，了解電漿特性及基本行為,以便未來投身在電漿材料製程中能夠嫻熟運用這些基本定律。 二、實驗原理 電漿 (Plasma)是物質的第四態，內能和動能遠高於固態、液態和氣態，因而可玆用於： 1.材料加工製造：電弧融鍊 (Arc refinement) 及電漿融射 (Plasma spraying)。 2.薄膜製造：濺鍍 (Sputter deposition)、電漿輔助物理氣相沉積 (Plasma assisted physical vapour deposition)及電漿輔助化學氣相沉積 (Plasma assisted chemical vapour deposition)。 3.表面改質：電漿氮化 (Plasma nitriding)、離子佈植 (Ion implantation) 4.發電與推進：高效率的MHD發電　(Magnetohydrodynamic energy conversion)、核融合發電(Nuclear fusion power generation)、太空推進 (Spacecraft ion propulsion)。 5.材料分析：感應藕合電漿分光分析儀 (Inductively coupled plasma optical emission spectrometer)、輝光放電分光分析儀 (Glow discharge optical emission spectrometer)。 6.光源：霓虹燈 (Neon light)、雷射 (Laser light) 電漿的定義是一團帶電荷的氣体分子，並且其中的正電荷（通常為正離子）和負電荷（通常為電子）總數約略相等；換言之電漿整体呈電中性。通常被激發成電漿態的氣體除了這兩種帶電荷粒子之外，還有若干激動狀態的中性氣體分子。故通常電漿內含有中性氣體分子、離子、電子和激動狀態的中性氣體分子。這幾種族群的成員多寡及各成員所攜帶的動能，端視氣體種類、氣體壓力以及外部有多少能量輸入而定。產生電漿有好幾種方式，例如對氣体施予足夠強的電場、施予電子束轟擊或施予雷射，都能將氣體激發成電漿狀態。就像固體轉變為液體或液體轉變為氣體一樣，只要持續不斷的供給能量，電漿就會持續不斷的存在。 不同氣體壓力下生成的電漿俱有不同的特性，如圖1所示[1]，當氣体壓力較高時，氣體分子和電子具有相同的動能，此種電漿中的氣体溫度(亦即氣體動能)高於常溫，可資運用於材料製造與加工，電弧融鍊、電漿融射及感應藕合電漿分光分析儀即利用此種電漿。這種電漿稱為高壓電漿(High pressure plasma)，又因為電子溫度和氣體溫度相同，故又稱為平衡電漿(Equilibrium plasma)或等溫電漿(Isothermal plasma)。當氣體壓力降到一定程度時，離子溫度和電子溫度開始分道揚鑣，電子因擁有足夠的平均自由徑且質量遠小於離子，受電場加速的效應十分顯著而提昇動能。這樣的高能電子可資用於氣相沉積的輔助工具。濺鍍、電漿輔助物理氣相沉積和電漿輔助化學氣相沉積即利用此種電漿。若干化學氣相沉積法甚至動用電子迴旋共振(Electron cyclotron resonance)來提高電子動能促進電漿中的氣體進行活化反應。低壓氣體生成的電漿稱為低壓電漿　(Low pressure plasma)或低溫電漿 (Low temperature plasma)，此處低溫所指是針對氣體溫度而言，又因為電子溫度和離子溫度不同，故又稱為非平衡電漿　(Non-equilibrium plasma)　或非等溫電漿 (Non-isothermal plasma)。 圖1 不同氣體壓力下所得之電漿中的氣體溫度和電子溫度 許多薄膜製程所採用的電漿為低壓電漿，肉眼所見為柔和的輝光狀態，故這種電漿又稱之為輝光放電電漿 (Glow discharge plasma)。如果是採用直流高電壓將氣體擊潰而獲得輝光放電電漿，所使用的設備示意圖如圖2所示[2]。這樣的設備架構基本上就是構成電漿輔助薄膜製程的基礎，例如濺鍍法的靶材相當於圖2的陰極板，濺鍍法的艙體則相當於圖2中的陽極板。記錄高電壓電源供應器的電壓錶和電流錶讀數可畫出圖3所示的I-V關係圖[3]，圖中很清楚的發現，電漿並不遵守歐姆定律。欲引發電漿必須達到某一臨界電壓，原因是氣體為一近乎絕緣體，此時電流增量極小，這區段稱為湯遜放電(Townsend region)，空間中的氣體在這區段中扮演絕緣體的角色。當電壓超過500 V之後，氣體開始崩潰。原本空間中的氣體隨時受到宇宙射線和紫外光的照射並產生自由電子，在電壓不夠高的情況下，這些自由電子在瞬間即告消失