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*/89 本章小结 ■将各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本 特性和主要参数等问题作了全面的介绍。 ■电力电子器件归类 ◆按照器件内部电子和空穴 两种载流子参与导电的情况 ?单极型：肖特基二极管、 电力MOSFET和SIT等。 ?双极型：基于PN结的电 力二极管、晶闸管、GTO和 GTR等。 ?复合型 ：IGBT、SITH 和MCT等。 图2-26 电力电子器件分类“树” */89 本章小结 ◆按驱动类型 ?电压驱动型器件 √单极型器件和复合型器件。 √共同特点是：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 ?电流驱动型器件 √双极型器件。 √共同特点是：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大，驱动电路也比较复杂。 ◆按控制信号的波形 ?电平控制型器件 √电压驱动型器件和部分电流驱动型器件（如GTR） ?脉冲触发型器件 √部分电流驱动型器件（如晶闸管和GTO） */89 本章小结 ■电力电子器件的现状和发展趋势 ◆20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率 （10kW以下）场合以电力MOSFET为主，中、大 功率场合以IGBT为主的压倒性局面，在10MVA以 上或者数千伏以上的应用场合，如果不需要自关 断能力，那么晶闸管仍然是目前的首选器件 。 ◆电力MOSFET和IGBT中的技术创新仍然在继 续，IGBT还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用 领域 。 ◆宽禁带半导体材料由于其各方面性能都优于 硅材料，因而是很有前景的电力半导体材料 。 */89 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的主要参数 ◆电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集电极与发射极间漏电流Iceo、 集电极和发射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff ◆最高工作电压 ?GTR上所加的电压超过规定值时，就会发生击穿。 ?击穿电压不仅和晶体管本身的特性有关，还与外电路的接法有关。 ?发射极开路时集电极和基极间的反向击穿电压BUcbo 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压BUceo 发射极与基极间用电阻联接或短路联接时集电极和发射极间的击穿电压BUcer和BUces 发射结反向偏置时集电极和发射极间的击穿电压BUcex 且存在以下关系： ?实际使用GTR时，为了确保安全，最高工作电压要比BUceo低得 多。 */89 2.4.2 电力晶体管 ◆集电极最大允许电流IcM ?规定直流电流放大系数hFE下降到规定的 1/2~1/3时所对应的Ic。 ?实际使用时要留有较大裕量，只能用到IcM的 一半或稍多一点。 ◆集电极最大耗散功率PcM ?指在最高工作温度下允许的耗散功率。 ?产品说明书中在给出PcM时总是同时给出壳温 TC，间接表示了最高工作温度。 */89 2.4.2 电力晶体管 ■GTR的二次击穿现象与安全工作区 ◆当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大， 这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。 ◆发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时 会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击 穿。 ◆出现一次击穿后，GTR一般不会损坏，二次击穿常常立即导致器 件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图2-19 GTR的安全工作区 二次击穿功率 ◆安全工作区（Safe Operating Area——SOA） ?将不同基极电流下二次击穿的临界点 连接起来，就构成了二次击穿临界线。 ?GTR工作时不仅不能超过最高电压 UceM，集电极最大电流IcM和最大耗散功 率PcM，也不能超过二次击穿临界线。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中 的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简 称电力MOSFET（Power MO