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目录 SSD架构 SATA和SAS接口 混合存储 SSD Introduce SSD架构 SSD Introduce SSD的构成 NAND Flash存储阵列 主机接口 主控芯片 缓存芯片 SSD主要有主控制器、存储阵列和缓存芯片构成，除此之外还有一些其他组件，例如电源芯片、晶振、电容、温度传感器等。 SSD Introduce SSD主控芯片 主控芯片主要作用： 连接闪存芯片和主机接口，提供主机与闪存之间合适和接口协议。 合理调配各个闪存芯片，高效处理数据，尽量提高传输速度，保证数据完整性。 主控芯片一般由一个16位或32位处理器和专用硬件逻辑构成。 SSD Introduce SSD主控芯片 主机接口 一般是工业上通用的标准接口，例如PCIe、SATA、SAS等，接口需要保证主机和设备之间的电气连接，提供足够的带宽保证主机和闪存之间的高速通信，这部分由硬件逻辑和固件混合组成。 SSD Introduce SSD主控芯片 文件系统 闪存的读写单位是4KB或8KB大小的页，而且闪存的擦除操作是按照128或256页大小的快来操作的，写入数据之前必须先擦除整个快，而不能直接覆盖，这与传统的机械硬盘的操作有很大区别，为了兼容传统机械硬盘的操作方式，出现了FTL，FTL完成逻辑到物理的映射（页和扇区），使得操作系统按照传统扇区操作方式来操作闪存，FTL是文件系统需要实现的主要功能。除此之外文件系统还要完成以下功能：磨损平衡管理、垃圾收集、坏块管理…… SSD Introduce 磨损平衡 为了延长SSD的寿命，目前固态硬盘中采用了磨损平衡机制，它尽可能地将文件平均分配到每一个区块，保证了对每一个闪存快的编程/擦写次数一致，避免对某一部分区块的过度重复操作，有效延长了固态硬盘的使用寿命。 主控尽量选择较新的区块（擦写次数最少）来使用。 动态磨损平衡 静态磨损平衡 将那些不经常更新的文件转移至较老的区块中，因为这些文件不会经常修改，所占用的区块被磨损的次数更少，以此来达到优化的目的。 SSD Introduce 垃圾回收 磨损平衡主要是在垃圾回收过程中来实现的，为了能够让固态硬盘中闪存实现比较均衡的磨损，垃圾回收过程中总是把数据写到更新的快中。 SSD Introduce 坏块管理 坏块分出厂坏块和使用过程中出现的坏块，SSD有坏块表来管理坏块。出厂坏块会在上面有标记，使用中出现的坏块要靠主控来识别。主控在每次写入/擦除等操作后都要检查状态寄存器，判断当前快是否为坏块。如果出现坏块坏块管理程序应该用好的快替换这个坏块，更新坏块表。 SSD Introduce 多通道交叉操作 Performance_SSD = N * performance_NAND SSD Introduce NAND Flash存储芯片 NAND Flash是一种非易失性存储，上电可以擦除和编程，掉电之后也能保存数据长达数年。NAND Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大容量的数据存储。 NAND Flash的存储单元为浮栅晶体管，浮栅晶体管比普通MOS管多了一个浮置栅极，浮置栅极是真正存储电荷的地方，浮置栅极与硅衬底之间是二氧化硅绝缘层，从来保护符栅极中的电荷不会泄露。 SSD Introduce NAND Flash存储芯片 对于NAND的写入，就是控制控制栅极对浮栅极充电，使得浮栅中存储的电荷够多，超过阀值Vth，就表示0。对于NAND的擦除，就是对浮栅放电，低于阀值Vth，就表示1。 SSD Introduce NAND Flash存储芯片 NAND FLASH根据单个晶体管浮栅极中存储信息量的不同又分为SLC(Single Level Cell )、MLC(Multi Leveled Cell )和TLC(Trinary Level Cell) SLC与MLC的原理对比图 SSD Introduce NAND接口 以前的NAND器件使用异步接口，每通道带宽为40MB/s，已经不能满足高速SSD等产品需求。 因此英特尔、镁光、海力士等公司联合制定了ONFI标准，2013年发布的ONFI3.2标准，接口带宽达到533MB/s。在ONFI标准中，地址和命令信号与时钟CLK同步，数据信号与DQS同步，比先前的异步接口增加了一根DQS信号线，大大提高了接口最大工作速度。 SSD Introduce SATA和SAS固态硬盘 SSD Introduce 企业级SSD与消费级SSD SSD Introduce 企业级SSD与消费级SSD 企业级SSD在出厂之前必须经过更加严格的测