半导体器件概述.ppt

1.4.1 集成运放的基本特性 二、运算放大器中的几个基本概念 差模信号 共模信号 则有 uo ＋ － u- u+ + + - - 1.4.1 集成运放的基本特性 根据上式电路等效成如图右 uid/2 uo ＋ － uid/2 - - + + uic - + 由电路叠加原理得： 其中: 开环差模电压放大倍数 开环共模电压放大倍数 1.4.2 理想运算放大器 共模抑制比 ★运放的特性: ①极高的差模放大倍数和共模抑制比；在非精密运算时，可认为KCMR=∞。 ②极高的差模输入电阻rid和共模输入电阻ric；在非精密运算时，可将输入端看做开路而没有输入电流。 ③极小的输出阻抗。 1.4.1 集成运放的基本特性 理想运放： 将集成运算放大器的各项技术指标理想后的器件。 ②rid=ric=∞ 一、理想运放的技术指标 理想运放的主要技术指标： ①Aod=∞，Aoc=0 ③ro=0 ④KCMR=∞ 1.4.1 集成运放的基本特性 二、理想运放在线性区工作时的特点 ＋ － u- u+ uo i- i+ 由前面知： 又因 Aod=∞，Aoc=0 所以 uo=-Aod.uid=Aod(u+-u-) 则 u+-u-= uo/Aod=0 即 u+=u- 反相输入端和同相输入端等电位 ——虚短 又因 rid=∞ 所以 i+=i-=0 反相输入端和同相输入端均无电流 ——虚断 1.4.1 集成运放的基本特性 三、理想运放在非线性区工作时的特点 +UOPP -UOPP 线性区 非线性区 非线性区 理想特性 实际特性 非线性区是指运放的输出信号与输入信号不存在性线关系。 对理想运放来说，当uid0时，uo=+UOPP；当uid0时，uo=-UOPP。 对实际运放来说，当|Aod.uid|UOPP时，运放工作在非线性区。 电子技术 第一章 结束 模拟电路部分 S源极 N沟道结型场效应管 D G S 1.3.1 结型场效应管 N G(栅极) D漏极 P+ P+ S源极 P沟道结型场效应管 D G S 1.3.1 结型场效应管 P G(栅极) D漏极 N+ N+ 二、工作原理（以N沟道为例） UDS=0V时 UGS 1.3.1 结型场效应管 N G S D UDS ID N N P+ P+ PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 UDS=0V时 N G S D UDS ID N N P+ P+ UGS UGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 N G S D UDS ID N N P+ P+ UGS UGS越大时，耗尽区越宽，沟道越窄，沟道电阻越大。 1.3.1 结型场效应管 UDS=0V时 1.3.1 结型场效应管 N G S D UDS ID N N P+ P+ UGS UGS达到一定值时（夹断电压UGS(off)）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，沟道电阻趋于无穷大。 0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG ?UGS(off) ?时 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ 越靠近漏端，PN结反压越大 1.3.1 结型场效应管 由于UDG ?UGS(off) ? ，导电沟道未被夹断，这时，导电沟道如同电阻，ID随着UDS增大而增大。 1.3.1 结型场效应管 0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG=?UGS(off) ?时 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ UDS增大则被夹断区向下延伸。 0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG?UGS(off) ?时 预夹断以后，随着UDS增大，虽然夹断区变长，但夹断区场强也增大，所以电流ID基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 1.3.1 结型场效应管 1.3.1 结型场效应管 三、特性曲线 (N沟道为例) 输出特性曲线 UGS=0V iD u DS 0 -1V -3V -4V -5V -2V IDSS UGS(off) 恒流区 可变电阻区 击穿区 预夹断轨迹 1.3.1 结型场效应管 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 夹断电压 ★结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1.3.1 结型场效应管